臺積電在美國啟動先進封裝（AP）建廠規(guī)畫浮上臺面，首座先進封裝預計明年動工。據(jù)悉，已有承包業(yè)者開始招募CoWoS設備服務工程師，將派駐美國亞利桑那州。供應鏈透露，臺積電美國先進封裝會以SoIC（系統(tǒng)整合單芯片）、CoW（Chip on Wafer）為主，后段oS（on Substrate）預計將委由Amkor進行。

在AI需求強勁帶動下，臺積電加大對美投資，總金額高達1,650億美元，規(guī)劃興建6座先進制程廠、2座先進封裝廠及1座研發(fā)中心，其中首座晶圓代工廠已正式量產(chǎn)，良率與臺灣本地廠并駕齊驅(qū)。

AMD執(zhí)行長蘇姿豐更透露，將于今年底收到首批由臺積電美國廠生產(chǎn)的芯片。目前P2廠完成建設，P3廠也在如火如荼推進中。

臺積電美國先進封裝廠進度亦開始明朗，承包商已為未來CoWoS進機與機臺維護業(yè)務進行準備。據(jù)悉，亞利桑那州AP1廠將與P3相連接，率先導入SoIC技術。半導體業(yè)者指出，SoIC是透過仲介層整合芯片，目前已應用于AMD的MI350產(chǎn)品，未來蘋果M系列晶片亦將采用，提前導入SoIC旨在因應日益多元的客戶需求。

IC設計業(yè)者分析指出，AMD下一代EPYC處理器「Venice」將采用臺積電2nm制程，并搭配SoIC封裝技術；英偉達（NVIDIA）預計明年推出的Rubin平臺也將導入SoIC設計，其中GPU與I/O Die將分開制作，前者采N3P制程、后者則以N5B制程制造，透過SoIC封裝整合2顆GPU與1顆I/O Die，以異質(zhì)整合方式達成效能與成本兼顧。

至于CoWoS封裝，將依客戶需求區(qū)分為S／L／R版本，供應鏈指出，后段oS制程將委由外部封測廠負責，美國先進封裝則專注于CoW段，不足部分再由中國臺灣廠支援。不過包括先進封裝在內(nèi)的核心技術仍會優(yōu)先于臺灣量產(chǎn)，待成熟后再轉(zhuǎn)移至美國，CoPoS（Chip-on-Panel-on-Substrate）技術仍待觀察其成熟度。

廠務業(yè)者表示，隨著P3廠建設加速，美國AP1封裝廠將緊接啟動，預計于明年下半年動工，依照時程推估，相關機臺最快將于2029年進行移機與安裝。業(yè)界看好，SoIC堆疊所需之濕制程設備與CoWoS相似，弘塑、辛耘、萬潤等設備商有望同步受惠，搶攻下一波高階封裝商機。