隨機量測領域的領導者Fractilia透露，最新技術節(jié)點上不受控制的隨機圖案變異，導致半導體制造商每家晶圓廠損失數(shù)億美元，包括良率損失和生產(chǎn)延遲。

這些被稱為隨機性的破壞性變化，如今已成為在先進節(jié)點大批量半導體制造（HVM）中實現(xiàn)預期良率的最大障礙。Fractilia的分析及其白皮書提供了解決這一問題的路線圖，該路線圖將精確測量、基于概率的工藝控制和隨機感知設計策略相結合，以挽回數(shù)十億美元的未實現(xiàn)價值。

在研發(fā)中可圖案化的特征尺寸與能夠以歷史預期良率可靠地大批量生產(chǎn)的特征尺寸之間出現(xiàn)了差距。

這種分辨率差距主要是由隨機變異性造成的，即半導體光刻所用材料和設備中分子、光源甚至原子行為的隨機變異性。與其他形式的工藝變異性不同，隨機變異性是制造工藝中使用的材料和技術所固有的，必須使用不同于當前工藝控制方法的概率分析來應對。

“隨機變異性導致先進工藝技術在大規(guī)模生產(chǎn)中的應用導致?lián)p失數(shù)十億美元，”Fractilia首席技術官Chris Mack表示，“然而，傳統(tǒng)的工藝控制方法在應對這些隨機效應方面一直無效。彌合隨機性差距需要采用完全不同的方法，設備制造商需要驗證并采用這些方法，才能將先進工藝技術成功應用于大批量生產(chǎn)?！?/p>

Chris Mack認為，電子行業(yè)發(fā)展的最大制約因素是隨機變異性。

“我們看到客戶在研發(fā)階段實現(xiàn)小至12nm的密集特征，但當他們試圖將其投入生產(chǎn)時，隨機故障卻影響了他們實現(xiàn)可接受的良率、性能和可靠性的能力。”Chris Mack說道。

從歷史上看，隨機變異性對大批量生產(chǎn)良率的影響并不顯著。與關鍵特征尺寸相比，隨機效應足夠小，因此出現(xiàn)影響良率的隨機缺陷的概率很低。然而，隨著EUV和高數(shù)值孔徑（High NA）EUV技術的應用，光刻能力大幅提升，隨機變異性在先進制造工藝中占據(jù)了更大比例的誤差預算。

幸運的是，這種隨機差距并非固定不變。 Fractilia詳細說明了造成這種隨機性差距的原因，并提供了解決方案，包括隨機感知設備設計、材料改進以及隨機感知過程控制。

Chris Mack表示：“隨機性差距是全行業(yè)共同面臨的問題。這個問題可以最小化和控制，但這一切都始于精確的隨機測量技術。”（校對/趙月）