據(jù)香港券商最新報(bào)告，三星電子2025年6月未能通過第三次英偉達(dá)12層HBM3E芯片認(rèn)證。這家科技巨頭目前計(jì)劃于9月進(jìn)行第四次認(rèn)證。

三星最新的認(rèn)證工作未能達(dá)到英偉達(dá)的標(biāo)準(zhǔn)，這為其進(jìn)入下一波AI工作負(fù)載HBM供應(yīng)的時(shí)間表帶來了進(jìn)一步的不確定性。盡管三星提前提升了HBM3E的產(chǎn)量，但由于未能獲得認(rèn)證，其供應(yīng)計(jì)劃被推遲。

與此同時(shí)，美光科技似乎正取得新進(jìn)展。美光公司利用韓美半導(dǎo)體的熱壓鍵合（TCB）設(shè)備，提高8層和12層HBM3E芯片的良率。12層HBM3E芯片的良率已達(dá)到70%，而8層HBM3E芯片的良率則達(dá)到75%。

瑞銀集團(tuán)近期還報(bào)告稱，三星12層 HBM3E的認(rèn)證仍處于“待決”狀態(tài)，并預(yù)測(cè)該公司向英偉達(dá)的供貨可能會(huì)推遲到2025年第四季度。由于英偉達(dá)等AI芯片制造商需要更快、更高效的內(nèi)存解決方案，此次挫折可能會(huì)改變競爭激烈的HBM市場格局。

美光近期宣布，已向主要客戶交付其第六代HBM4樣品，用于AI半導(dǎo)體。這使得美光成為繼SK海力士之后第二家交付HBM4樣品的DRAM制造商，SK海力士于2025年3月開始交付HBM4樣品。

與此同時(shí)，由于各大科技公司定制化AI芯片的量產(chǎn)延遲，瑞銀已調(diào)整HBM的市場需求預(yù)期。該公司目前預(yù)測(cè)，2025年全球HBM需求量將達(dá)到1630億GB，低于此前預(yù)估的1890億GB；并預(yù)計(jì)2026年HBM需求量將達(dá)到2540億GB，略低于此前預(yù)測(cè)的2610億GB。（校對(duì)/趙月）