據(jù)悉，三星電子繼平澤工廠之后，已制定計劃在華城工廠建設(shè)1c DRAM（第6代10nm級DRAM）量產(chǎn)線，預(yù)計該項投資最早將于今年年底完成。

1c DRAM也是將應(yīng)用于三星電子“HBM4（第六代高帶寬存儲器）”的關(guān)鍵產(chǎn)品。有分析認(rèn)為，三星電子在最新HBM的商業(yè)化上遇到困難，目前正表現(xiàn)出積極的量產(chǎn)意愿。

據(jù)業(yè)內(nèi)人士22日透露，三星電子計劃今年下半年于華城市和平澤地區(qū)投資增加1c DRAM產(chǎn)能。

今年早些時候，三星電子開始在其平澤第四園區(qū)（P4）建設(shè)第一條1c DRAM量產(chǎn)線。當(dāng)時投資規(guī)模較小，規(guī)劃產(chǎn)能為每月3萬片。目前三星電子正在商談追加投資，擴(kuò)大今年下半年P(guān)4工廠的1c DRAM產(chǎn)能。預(yù)計規(guī)模至少達(dá)到每月4萬片。

三星電子華城17號線是一條主要生產(chǎn)1z（10納米級第三代）DRAM的生產(chǎn)線。DRAM屬于傳統(tǒng)工藝，產(chǎn)量正在快速減少。三星電子已投資將1b DRAM轉(zhuǎn)換為位于附近華城市的15號和16號生產(chǎn)線。

三星電子決定在其華城和平澤工廠具體化1c DRAM投資計劃，這反映出其對提高產(chǎn)量的信心。

1c DRAM是三星電子計劃最早在今年年底量產(chǎn)的最新一代DRAM。這種DRAM對三星電子如此重要的原因在于其在HBM領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。與SK海力士和美光等主要競爭對手為HBM4采用1b DRAM不同，三星電子決定為HBM4應(yīng)用1c DRAM 。（校對/李梅）