為重振昔日半導體巨頭輝煌，英特爾( INTC-US ) 全力將重點放在全新先進制造工藝「18A」上，預計于今年下半年正式上市。業(yè)界專家與華爾街分析師普遍認為， 18A 制程將成為英特爾重新奪回全球芯片市場領先地位的「最后希望」。

英特爾18A 首度采用RibbonFET 環(huán)繞式閘極（GAA）與背面供電兩大創(chuàng)新技術，能更精準地控制芯片內部電流，改善電源供應結構，有效提升效能與降低能耗。

業(yè)界專家指出，此技術有望解決人工智能（AI）芯片過熱難題，對未來AI 應用具有深遠影響。

英特爾俄勒岡州制造工廠員工透露，18A 制程已取得顯著技術進展，團隊士氣普遍樂觀。不過，近期裁員計劃可能影響員工積極性，成為推進技術的潛在挑戰(zhàn)。

除了提升自家芯片，英特爾還計劃利用18A 技術切入晶圓代工市場，挑戰(zhàn)以臺積電( 2330-TW ) 為首的業(yè)界巨頭。亞馬遜與微軟已簽約采用18A 制程，但英特爾財務長坦言，目前第三方客戶承諾「尚不顯著」，代工市場競爭仍然嚴峻。

臺積電自2019 年率先導入EUV 曝光技術，成為全球最先進芯片代工廠。英特爾18A 原定2025 年上半年推出，因技術挑戰(zhàn)已延至下半年，顯示雙重先進技術結合帶來的制造難度與風險。

面對英特爾挑戰(zhàn)，臺積電也積極研發(fā)采用環(huán)繞式閘極的N2 制程，計劃于2026 年引入背面供電技術，持續(xù)鞏固全球晶圓代工市場領導地位。

分析師指出，英特爾技術能力無虞，但是否能達到臺積電規(guī)模與產(chǎn)量仍待觀察。 18A 代工業(yè)務能否成為公司翻身利器，市場高度關注。

盡管市場有聲音呼吁英特爾退出代工業(yè)務專注設計，但美國政府為保障本土先進制造能力，已提供英特爾78 億美元芯片法案資金，期望其持續(xù)保持半導體先進制造實力，成為美國唯一大型先進芯片制造商。

與此同時，臺積電則計劃未來在美國投入1650 億美元建新廠及研發(fā)設施，但最先進制程仍主要集中亞洲。分析師認為，臺積電在美國布局削弱英特爾本土優(yōu)勢，未來競爭更加激烈。

英特爾18A 制程的技術突破與市場應用將是決定其能否重返半導體領導地位的關鍵。