天眼查顯示，芯聯(lián)集成電路制造股份有限公司近日取得一項(xiàng)名為“功率半導(dǎo)體器件及其制備方法”的專利，授權(quán)公告號(hào)為CN119050137B，授權(quán)公告日為2025年3月14日，申請(qǐng)日為2024年10月30日。

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種功率半導(dǎo)體器件及其制備方法，其中，功率半導(dǎo)體器件包括：半導(dǎo)體材料層，其內(nèi)包括第一摻雜區(qū)和漂移區(qū)；多個(gè)柵極溝槽，從上表面延伸穿過第一摻雜區(qū)至漂移區(qū)內(nèi)，至少一柵極溝槽內(nèi)設(shè)置有柵極；第一摻雜區(qū)包括第一導(dǎo)電類型基區(qū)和第一導(dǎo)電類型可控區(qū)；第二導(dǎo)電類型發(fā)射區(qū)，位于第一導(dǎo)電類型基區(qū)的表層；鄰接布置的第一導(dǎo)電類型摻雜區(qū)和第二導(dǎo)電類型摻雜區(qū)，位于第一導(dǎo)電類型可控區(qū)內(nèi)和/或位于所述第一導(dǎo)電類型可控區(qū)上；第一導(dǎo)電類型摻雜區(qū)與第一導(dǎo)電類型基區(qū)和第二導(dǎo)電類型發(fā)射區(qū)共同連接至發(fā)射極金屬層，第二導(dǎo)電類型摻雜區(qū)和柵極共同連接至柵極金屬層；如此，降低了EMI噪聲，同時(shí)避免載流子大量流失。