2025年4月14日，國家重點研發(fā)計劃 “物態(tài)調控” 重點專項 “高MOS溝道遷移率及其低溫電子輸運與器件研究” 項目啟動暨實施方案論證會在北京順利召開。該項目由中國科學院半導體研究所牽頭，聯(lián)合北京大學和中國人民解放軍國防科技大學共同承擔，旨在發(fā)展硅 MOS 工藝下的量子器件，通過研制高品質的硅MOS柵極材料以及高遷移率的電子溝道來制備與集成量子器件，以大幅降低信息處理所需功耗，具有重要的科學意義和應用價值。

此次會議在國家自然科學基金委高技術研究發(fā)展中心指導下，由半導體所主辦。出席會議的有基金委高技術研究發(fā)展中心基礎一處處長墨宏山；中國科學院前沿科學與基礎研究局相關處領導及半導體所所領導、處長；項目責任專家許祝安教授和陸衛(wèi)研究員；項目專家組李樹深院士、黃維院士、劉益春院士、魏蘇淮教授、王潤聲教授、周樹云教授、何林教授、陳佳寧研究員、駱軍委研究員；項目依托單位領導及管理部門代表、各參研單位的科研骨干人員等共30余人參加會議。

墨宏山代表專項辦發(fā)表重要講話，首先對項目的正式啟動表示熱烈祝賀，表示項目的順利實施離不開牽頭單位的統(tǒng)籌協(xié)調與責任擔當，他強調，要強化組織機制、優(yōu)化經費使用，切實保障各項資源落實到位。他特別指出，項目負責人要聚焦核心任務，明確研究方向，科學制定實施路徑，積極帶動團隊協(xié)同推進。同時，要注重各課題之間的深度融合，構建優(yōu)勢互補、協(xié)同創(chuàng)新的工作格局。

中國科學院前沿科學與基礎研究局綜合業(yè)務處處長李云龍發(fā)表講話，強調要始終堅持問題導向與目標牽引相結合，不僅要高質量完成既定任務，還要力爭在關鍵技術與理論研究上實現(xiàn)突破，真正產出具有學術價值和實際意義的成果。

項目負責人汪林望研究員全面匯報了實施方案，從研究背景與科學問題、研究內容和技術路線、課題分解和進度安排、研究團隊和工作基礎、預期成果及風險分析、項目預算及近期進展等幾大方面作了詳細介紹。隨后，各課題負責人劉岳陽研究員、袁國棟研究員、魯軍研究員、廖志敏研究員依次就各課題的技術方案、實施計劃及現(xiàn)階段取得的研究進展進行了詳細匯報。

與會專家在聽取實施方案匯報后，對項目研究內容、實施方案及技術路線給予充分肯定，基于該項目立足的關鍵科學問題、具體實施方案及考核驗收指標等方面，同項目組成員進行了充分的質詢和討論，并在項目目標完成、聚焦關鍵科學問題和課題之間的相互協(xié)作上提出寶貴意見和期望，對項目團隊做出原創(chuàng)性成果給予厚望。隨后項目成員結合專家指導意見，就項目實施與課題間密切合作等進行了討論。

此次項目啟動暨實施方案論證會的順利召開，為推動該項目有序實施、保障研究目標順利實現(xiàn)奠定了重要基礎。該項目將持續(xù)推動各課題協(xié)作共進，全力支持和配合相關工作展開，高質量完成研究任務，為國家重大戰(zhàn)略實施和研究所的高質量發(fā)展貢獻力量。