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左藍(lán)微“一種聲表面波諧振器質(zhì)量負(fù)載制備工藝及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)”專(zhuān)利公布

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天眼查顯示,左藍(lán)微(江蘇)電子技術(shù)有限公司“一種聲表面波諧振器質(zhì)量負(fù)載制備工藝及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)”專(zhuān)利公布,申請(qǐng)公布日為2025年2月28日,申請(qǐng)公布號(hào)為CN119543860A。

本發(fā)明公開(kāi)了一種聲表面波諧振器質(zhì)量負(fù)載制備工藝及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),該制備工藝包括:準(zhǔn)備晶圓;利用光刻工藝在晶圓上形成第一光刻膠圖層;在形成有第一光刻膠圖層的晶圓上按照設(shè)計(jì)厚度要求沉積一層IDT材料的薄膜;在完成IDT鍍膜后的晶圓上形成第二光刻膠圖層;在形成有第二光刻膠圖層的晶圓上按照設(shè)計(jì)厚度要求沉積一層質(zhì)量負(fù)載材料的薄膜;最后剝離晶圓上的光刻膠,使得覆蓋于光刻膠上的IDT材料薄膜和/或質(zhì)量負(fù)載材料薄膜一同被剝離,未覆蓋于光刻膠上的IDT材料薄膜和質(zhì)量負(fù)載材料薄膜則被保留。采用該工藝大大降低了對(duì)套刻精度的要求,能更好的控制產(chǎn)品的一致性、提高產(chǎn)品質(zhì)量。

責(zé)編: 趙碧瑩
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