近日，北方華創(chuàng)（Naura）正式推出其首款12英寸電鍍?cè)O(shè)備（ECP）——Ausip T830，該設(shè)備專為硅通孔（TSV）銅填充工藝優(yōu)化，主要面向2.5D/3D先進(jìn)封裝市場(chǎng)。此次發(fā)布標(biāo)志著北方華創(chuàng)成功進(jìn)軍電鍍?cè)O(shè)備領(lǐng)域，并進(jìn)一步完善了其在先進(jìn)封裝領(lǐng)域的全流程設(shè)備布局，涵蓋刻蝕、去膠、PVD、CVD、電鍍、PIQ及清洗等關(guān)鍵工藝環(huán)節(jié)。

電鍍?cè)O(shè)備作為PVD（物理氣相沉積）的后道關(guān)鍵工藝設(shè)備，在邏輯芯片、存儲(chǔ)、功率器件及先進(jìn)封裝等領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用。其核心工藝在于PVD設(shè)備先在硅通孔（TSV）內(nèi)沉積導(dǎo)電籽晶層，以及電鍍?cè)O(shè)備隨后進(jìn)行無(wú)空隙銅填充，確保高導(dǎo)電性和可靠性。

北方華創(chuàng)的Ausip T830設(shè)備突破三十多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，展現(xiàn)了深厚技術(shù)實(shí)力。該設(shè)備采用高真空密封和電化學(xué)沉積技術(shù)，實(shí)時(shí)優(yōu)化預(yù)潤(rùn)濕及電鍍參數(shù)，實(shí)現(xiàn)高深寬比TSV填充。通過(guò)優(yōu)化電場(chǎng)、流場(chǎng)和藥液濃度，使TSV內(nèi)部及邊緣的銅沉積均勻，減少缺陷，提高芯片良率和可靠性。其雙層雙腔架構(gòu)可同時(shí)處理兩片晶圓，提高產(chǎn)能，節(jié)省空間。定制氣缸和密封結(jié)構(gòu)增強(qiáng)穩(wěn)定性，降低維護(hù)成本。智能補(bǔ)液系統(tǒng)減少添加劑用量，助力綠色制造。設(shè)備支持模塊化定制和后續(xù)技術(shù)升級(jí)，滿足多樣化需求。目前，該設(shè)備的電鍍膜厚均勻性滿足客戶要求，能夠有效填充孔直徑2-12微米，孔深16-120微米的多種孔型產(chǎn)品。 

隨著先進(jìn)封裝（如Chiplet、HBM）和3D集成技術(shù)的快速發(fā)展，全球電鍍?cè)O(shè)備市場(chǎng)規(guī)模已達(dá)80-90億元/年，并有望在未來(lái)幾年突破百億大關(guān)。

北方華創(chuàng)此次推出Ausip T830，不僅填補(bǔ)了國(guó)產(chǎn)高端電鍍?cè)O(shè)備的空白，更標(biāo)志著其在先進(jìn)封裝全流程設(shè)備領(lǐng)域的完整布局。隨著半導(dǎo)體制造向更高集成度、更小線寬、更復(fù)雜結(jié)構(gòu)演進(jìn)，電鍍?cè)O(shè)備的重要性將進(jìn)一步提升。北方華創(chuàng)的突破，有望加速國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備在先進(jìn)封裝、3D IC等高端市場(chǎng)的滲透，助力中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控進(jìn)程。