天眼查顯示，北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司“半導體工藝腔室及半導體工藝設(shè)備”專利公布，申請公布日為2025年2月14日，申請公布號為CN118431057A。
本申請公開了一種半導體工藝腔室及半導體工藝設(shè)備，涉及半導體領(lǐng)域。一種半導體工藝腔室包括：腔體、承載組件和連接組件；承載組件包括多個第一承載件和多個第二承載件，其中一個第一承載件與相鄰的第二承載件相互間隔形成工藝空間，第一承載件設(shè)有多個饋入端，第二承載件設(shè)有多個接地端；連接組件包括連接條、多個彈性部件、多個射頻連接塊和多個接地連接塊，連接條包括多個并聯(lián)的分支端；多個射頻連接塊通過一部分彈性部件分別與多個分支端連接；每個第一承載件的多個饋入端分別與多個射頻連接塊連接，每個第二承載件的多個接地端分別與多個接地連接塊連接。本申請能夠解決當前PECVD設(shè)備由于駐波效應(yīng)影響設(shè)備成膜均勻性等問題。
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