據(jù)韓媒etnews報(bào)道，SK海力士已將其第六代高帶寬存儲(chǔ)器“HBM 4”的測(cè)試良率提升至70%。

據(jù)業(yè)內(nèi)人士近日透露，SK海力士近期在HBM4 12層測(cè)試中實(shí)現(xiàn)了70%的良率。

一位知情人士表示：“HBM4的測(cè)試良率在去年年底就超過了60%，據(jù)我了解，最近又進(jìn)一步提高。測(cè)試良率正在以相當(dāng)快的速度增長(zhǎng)。”

測(cè)試產(chǎn)量是未來實(shí)際產(chǎn)量的指標(biāo)，高測(cè)試良率確保了進(jìn)入實(shí)際量產(chǎn)時(shí)的生產(chǎn)效率。

一位業(yè)內(nèi)人士評(píng)價(jià)稱，“測(cè)試良率達(dá)到70%已經(jīng)是一個(gè)非常好的成績(jī)，量產(chǎn)后良率還可以進(jìn)一步提升。”

據(jù)悉，SK海力士在HBM4 12層技術(shù)測(cè)試中對(duì)每項(xiàng)制造工藝都設(shè)定了高標(biāo)準(zhǔn)，以90%后期的可靠性標(biāo)準(zhǔn)來提升良率。

SK海力士還已將10nm第五代DRAM“1b”應(yīng)用到12層HBM4上，據(jù)了解，其性能和穩(wěn)定性已得到驗(yàn)證，易于穩(wěn)定良率。1b已應(yīng)用于其HBM3E產(chǎn)品。

SK海力士去年曾通過媒體宣布，HBM3E良率已達(dá)到80%的目標(biāo)，并且量產(chǎn)所需時(shí)間縮短了50%。

基于此，預(yù)計(jì)12層HBM4也將快速轉(zhuǎn)入量產(chǎn)。一旦完成技術(shù)開發(fā)和當(dāng)前測(cè)試的評(píng)估，SK海力士將制造并提供樣品，如果它們通過客戶性能評(píng)估，就將進(jìn)入大規(guī)模生產(chǎn)。

報(bào)道稱，就HBM4 12層而言，它很可能搭載于英偉達(dá)下一代人工智能（AI）加速器“Rubin”系列。Rubin最初計(jì)劃于明年投入量產(chǎn)，但有預(yù)計(jì)最早將于今年下半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。這也被解讀為SK海力士試圖快速穩(wěn)定12層HBM4測(cè)試良率的原因。

對(duì)此，SK海力士相關(guān)人士表示：“HBM4 12層測(cè)試良率無法外部透露，HBM4按計(jì)劃正在開發(fā)中。”