英飛凌已出貨首批基于更大的200毫米晶圓的碳化硅（SiC）功率器件。

幾乎所有SiC器件都采用150毫米晶圓制造，而使用更大的晶圓面臨重大挑戰(zhàn)。采用200毫米晶圓制造器件是降低SiC器件成本的關鍵一步，其他公司也在開發(fā)200毫米技術，尤其是Wolfspeed、意法半導體（ST） 和安森美（onsemi）以及羅姆、三菱電機。

高壓器件是在英飛凌位于奧地利菲拉赫的工廠制造的，但本季度這些器件的出貨也是英飛凌馬來西亞居林制造基地從新建的Module 3中的150毫米晶圓過渡到200毫米晶圓的關鍵一步。

菲拉赫和居林的生產(chǎn)基地共享技術和工藝，可實現(xiàn)SiC和氮化鎵（GaN）制造的快速提升和平穩(wěn)高效的運營。

英飛凌首席運營官Rutger Wijburg表示：“我們的SiC生產(chǎn)正按計劃推進，我們?yōu)橄蚩蛻敉瞥龅牡谝慌a(chǎn)品感到自豪。通過分階段提高菲拉赫和居林的SiC產(chǎn)量，我們正在提高成本效率并繼續(xù)確保產(chǎn)品質(zhì)量。同時，我們正在確保制造能力能夠滿足對基于SiC的功率半導體的需求?！保ㄐ?李梅）