天眼查顯示，陜西亞成微電子股份有限公司近日取得一項名為“可實現(xiàn)反向電源保護的智能高側(cè)開關(guān)芯片及保護方法”的專利，授權(quán)公告號為CN115102151B，授權(quán)公告日為2024年12月10日，申請日為2022年7月1日。

本發(fā)明涉及一種可實現(xiàn)反向電源保護的智能高側(cè)開關(guān)芯片及保護方法，該芯片包括電荷泵、GATE驅(qū)動模塊、反向保護電阻和反向電源保護電路；反向電源保護電路包括第一驅(qū)動電流產(chǎn)生單元、第二驅(qū)動電流產(chǎn)生單元、電流上拉單元和電流下拉單元；電流上拉單元用于將GATE驅(qū)動模塊的驅(qū)動電壓往上拉；電流下拉單元用于關(guān)閉GATE驅(qū)動模塊的下拉電流。當智能高側(cè)開關(guān)芯片的電源反接時，在反向保護電阻上產(chǎn)生壓降，該壓降通過并聯(lián)的第一驅(qū)動電流產(chǎn)生單元和第二驅(qū)動電流產(chǎn)生單元控制功率MOS管的開啟，則電源反接時與電源正接時功率MOS管正向?qū)〞r的功耗相同，從而保護功率MOS管，解決了現(xiàn)有智能高側(cè)開關(guān)芯片在電源反接時容易燒毀功率MOS管的技術(shù)問題。