天眼查顯示，青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司“一種高電子遷移率晶體管封裝結(jié)構(gòu)及制備方法”專利公布，申請(qǐng)公布日為2024年12月13日，申請(qǐng)公布號(hào)為CN119133169A。

本發(fā)明公開(kāi)了一種高電子遷移率晶體管封裝結(jié)構(gòu)及制備方法，應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)集成電路封裝領(lǐng)域，該結(jié)構(gòu)包括：高電子遷移率晶體管，和設(shè)置在高電子遷移率晶體管一側(cè)表面的若干三極管；高電子遷移率晶體管的柵極位于高電子遷移率晶體管靠向三極管的一側(cè)表面；三極管的發(fā)射極設(shè)置在三極管靠向高電子遷移率晶體管的一側(cè)表面，且上述發(fā)射極與上述柵極導(dǎo)電連接，剩余電極均與對(duì)應(yīng)的引腳導(dǎo)電連接。本發(fā)明將三極管設(shè)置在高電子遷移率晶體管的一側(cè)表面，將高電子遷移率晶體管中的柵極，設(shè)置在高電子遷移率晶體管靠向三極管的一側(cè)表面，將三極管中的發(fā)射極，設(shè)置在三極管靠向高電子遷移率晶體管的一側(cè)表面，在減少器件占用電路板面積的同時(shí)，減少了線路的寄生電感。