據(jù)武漢未來科技城消息，12月18日，長飛先進武漢基地建設(shè)迎來新進展——項目首批設(shè)備搬入儀式舉辦。本次設(shè)備搬入作為廠房建設(shè)發(fā)展歷程中的重要一環(huán)，標志著長飛先進武漢基地即將邁入工藝驗證新階段，全面投產(chǎn)正式進入倒計時。

據(jù)悉，本次搬入的設(shè)備涵蓋芯片制造各個環(huán)節(jié)，包括薄膜淀積、離子注入、光刻、刻蝕等，將為武漢基地構(gòu)建全鏈條生產(chǎn)能力、加速通線量產(chǎn)奠定堅實根基。

（來源：中國光谷）

長飛先進武漢基地聚焦第三代半導體功率器件研發(fā)與生產(chǎn)，總投資預計超過200億元，其中項目一期總投資80億元，規(guī)劃年產(chǎn)36萬片6英寸碳化硅晶圓。

2023年8月25日，長飛先進半導體第三代半導體功率器件研發(fā)生產(chǎn)基地落戶武漢新城；7天后，該項目正式啟動建設(shè)。今年6月，該項目主體結(jié)構(gòu)全面封頂。從打下第一根樁到實現(xiàn)結(jié)構(gòu)封頂，廠房建設(shè)耗時不到10個月。

目前，長飛先進武漢基地項目正加快推進建設(shè)并對設(shè)備進行安裝調(diào)試，預計2025年5月實現(xiàn)量產(chǎn)通線。武漢未來科技城指出，該項目達產(chǎn)后，預計可年產(chǎn)36萬片6英寸碳化硅晶圓及外延、6100萬個功率器件模塊，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏、儲能、充電樁等領(lǐng)域，還將吸引并帶動更多化合物半導體產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)聚集、交流與協(xié)作，加快構(gòu)建更加完善的碳化硅產(chǎn)業(yè)生態(tài)。