在2024年12月12日落幕的行家說(shuō)三代半年會(huì)上，行業(yè)內(nèi)上下游主流企業(yè)及行業(yè)精英匯聚深圳，共同探討行業(yè)趨勢(shì)，深化交流合作。安世半導(dǎo)體作為其中的重要一員，憑借其領(lǐng)先產(chǎn)品“針對(duì)工業(yè)和可再生能源應(yīng)用的CCPAK封裝GaN FET”榮獲「GaN年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)」，這一成就不僅展現(xiàn)了安世半導(dǎo)體作為基礎(chǔ)半導(dǎo)體全球領(lǐng)導(dǎo)者的強(qiáng)大實(shí)力，也彰顯了其在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域深耕多年的成果。
Nexperia GaN產(chǎn)品線資深市場(chǎng)拓展經(jīng)理成皓先生代表安世半導(dǎo)體領(lǐng)獎(jiǎng)。
同期舉行的SiC & GaN技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新峰會(huì)上，成皓帶來(lái)了《安世半導(dǎo)體GaN FET如何助力新能源行業(yè)創(chuàng)新》的專(zhuān)題報(bào)告。
他指出，隨著全球?qū)稍偕茉吹男枨蟛粩嘣鲩L(zhǎng)，GaN技術(shù)憑借其高效能和高頻率特性，正在成為推動(dòng)新能源設(shè)備性能提升的關(guān)鍵因素。目前，安世半導(dǎo)體是業(yè)內(nèi)可同時(shí)提供級(jí)聯(lián)型（Cascode）和增強(qiáng)型（e-mode）氮化鎵器件的供應(yīng)商，產(chǎn)品具有較低的反向恢復(fù)電荷、卓越的溫度穩(wěn)定性等優(yōu)勢(shì)，為新能源應(yīng)用降本增效提供優(yōu)良方案。
獲獎(jiǎng)產(chǎn)品
針對(duì)工業(yè)和可再生能源應(yīng)用的CCPAK封裝GaN FET
GAN039-650NTB是一款33 mΩ（典型值）的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管，采用CCPAK1212i頂部散熱封裝技術(shù)，開(kāi)創(chuàng)了寬禁帶半導(dǎo)體和銅夾片封裝相結(jié)合的新時(shí)代。
這項(xiàng)技術(shù)為太陽(yáng)能和家用熱泵等可再生能源應(yīng)用帶來(lái)諸多優(yōu)勢(shì)，進(jìn)一步加強(qiáng)了Nexperia為可持續(xù)應(yīng)用開(kāi)發(fā)前沿器件技術(shù)的承諾。該技術(shù)還適用于廣泛的工業(yè)應(yīng)用，如伺服驅(qū)動(dòng)器、開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)、服務(wù)器和電信應(yīng)用。
GAN039-650NTB的級(jí)聯(lián)配置使其能夠提供出色的開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通性能，此外其穩(wěn)健可靠的柵極結(jié)構(gòu)可提供較高的噪聲容限。這一特性還有益于簡(jiǎn)化應(yīng)用設(shè)計(jì)，無(wú)需復(fù)雜的柵極驅(qū)動(dòng)器和控制電路，只需使用標(biāo)準(zhǔn)硅MOSFET驅(qū)動(dòng)器即可輕松驅(qū)動(dòng)這些器件。Nexperia的GaN技術(shù)提高了開(kāi)關(guān)穩(wěn)定性，并有助于將裸片尺寸縮小約24%。此外，器件的RDS(on)在25℃時(shí)僅為33 mΩ（典型值），同時(shí)其具有較高的門(mén)極閾值電壓和較低的等效體二極管導(dǎo)通壓降。
