產(chǎn)品介紹

長晶科技本次推出了FST3.0（對標國際Gen7.0） 650V和1200V系列的三款IGBT單管，主要用于光伏儲能等應用。

CGR120N65F3SAD

CGR160N65F3KAD

CGR140N120F3KAD

產(chǎn)品參數(shù)

新品特點

1. 使用最新的微溝槽柵(1.6μm Pitch)+場終止技術，提高載流子密度；

2. 芯片元胞/功率密度增大，經(jīng)濟性更好；

3.  針對光儲類應用優(yōu)化了通態(tài)損耗和開關損耗，同時又保證產(chǎn)品的魯棒特性。

以1200V、140A產(chǎn)品為例，參數(shù)對比主流競品參數(shù)如下：

應用方案

針對光伏儲能/逆變器應用，長晶科技產(chǎn)品優(yōu)勢在于：

1.產(chǎn)品經(jīng)過全面測試，確保能夠面對光伏系統(tǒng)的惡劣運行環(huán)境

2.領先的功率密度水平，保證最少的能量損失

3. 適應多個逆變器類型，提供豐富的太陽能系統(tǒng)解決方案

在此按照應用方案不同推薦如下

IGBT

FRD

組串式光伏逆變器

組串式光伏-TNPC，是最適合的開關頻率低于20kHz的拓撲，需要同時用到650V和1200V的IGBT，長晶科技按應用功率不同進行推薦如下：

IGBT

DC-AC Inverter

IGBT

FRD

30/40kW充電模塊

針對充電樁市場應用長晶產(chǎn)品優(yōu)勢在于：

1.優(yōu)化VCE(sat)，降低導通損耗和溫升，兼顧優(yōu)秀的運行可靠性

2.優(yōu)化體二極管反向恢復損耗

3. 成熟的充電樁解決方案，國內(nèi)優(yōu)秀廠商的成功案例

30/40kW充電模塊應用中推薦如下

IGBT

FRD

SiC MOS