【編者按】自2020年舉辦以來，IC風云榜已成為半導體行業(yè)的年度盛事。今年新增12項獎項，共設39項大獎，進一步關(guān)注半導體投資與退出、科技前沿領(lǐng)域貢獻、項目創(chuàng)新以及技術(shù)“出?！迸c拓展。評委會由超過100家半導體投資聯(lián)盟會員單位及500+行業(yè)CEO組成。獲獎名單將于2025半導體投資年會暨IC風云榜頒獎典禮上揭曉。
【候選企業(yè)】湖北興福電子材料股份有限公司（以下簡稱：興福電子）
【候選獎項】年度市場突破獎、年度優(yōu)秀創(chuàng)新產(chǎn)品獎
【候選產(chǎn)品】電子級硫酸96%H2SO4（年度市場突破獎），電子級雙氧水31%H2O2、硅系列蝕刻液（年度優(yōu)秀創(chuàng)新產(chǎn)品獎）
湖北興福電子材料股份有限公司，自2008年11月成立以來，便專注于集成電路用超高純電子化學品的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化領(lǐng)域。該公司秉持著創(chuàng)新、純粹、精益求精的核心價值觀，緊密圍繞集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展需求，聚焦于濕電子化學品工藝的提升、電子特種氣體技術(shù)與產(chǎn)品的開發(fā)、前驅(qū)體工藝及材料的探索，以及濕電子化學品輔材的研究等多個關(guān)鍵板塊。
在不懈的努力下，湖北興福電子材料股份有限公司成功推出了包括電子級磷酸、硫酸、氫氟酸、雙氧水、硅基蝕刻液、金屬蝕刻液以及BOE蝕刻液等一系列產(chǎn)品。這些產(chǎn)品憑借其卓越的性能和品質(zhì)，在行業(yè)內(nèi)贏得了廣泛的認可與好評。
此次，興福電子競逐“IC風云榜”年度市場突破獎、年度優(yōu)秀創(chuàng)新產(chǎn)品獎，并成為候選企業(yè)。
興福電子憑借電子級硫酸96%H2SO4競逐年度市場突破獎，該產(chǎn)品主要應用于集成電路制造工藝中的清洗和蝕刻過程，可有效除去晶片上的雜質(zhì)顆粒、無機殘留物和碳沉積物。
電子級硫酸主要由三氧化硫制備而成，其生產(chǎn)過程中的核心挑戰(zhàn)在于嚴格控制雜質(zhì)離子（如堿金屬、重金屬、過渡金屬及陰離子等）的含量以及微納顆粒等指標。為打破國外技術(shù)封鎖，解決“卡脖子”難題，興福電子自主研發(fā)了一系列關(guān)鍵技術(shù)，不僅提升了生產(chǎn)鏈的本質(zhì)安全和自動化程度，還加速了電子化學品的國產(chǎn)化進程，為國產(chǎn)芯片的快速發(fā)展提供了有力支持。
在原料三氧化硫制備方面，興福電子創(chuàng)新性地開發(fā)了煙酸降膜蒸發(fā)制備技術(shù)和連續(xù)精餾制備高純液體三氧化硫技術(shù)。前者通過梯級純化思路，有效脫除了不溶于濃硫酸的氣體，制備出高純度的三氧化硫；后者則利用沸點差異，制備出純度高達99.99%的液體三氧化硫，滿足了超高純電子級硫酸的生產(chǎn)要求。
在超高純電子級硫酸制備過程中，興福電子同樣展現(xiàn)出了卓越的技術(shù)創(chuàng)新能力。該公司開發(fā)了智能三氧化硫汽化-氧化技術(shù)，實現(xiàn)了設備內(nèi)襯的優(yōu)化，從根本上解決了設備腐蝕帶來的質(zhì)量及安全風險。同時，通過分級混合低溫動態(tài)吸收技術(shù)和微納顆粒深度脫除技術(shù)，進一步提高了電子級硫酸的純度，使得產(chǎn)品中的30nm顆粒度降低至50pcs/ml以內(nèi)。
興福電子超高純電子級硫酸品質(zhì)達到Fe等金屬離子小于5ppt、易氧化物小于1ppm、30nm顆粒度低于50pcs/ml，達到國際先進水平，超越G5等級。
興福電子級硫酸自2017年5月投產(chǎn)以來，經(jīng)過嚴格的客戶驗證測試，于2019年5月實現(xiàn)了中芯集團、華虹集團的批量規(guī)模銷售，產(chǎn)品良率達到100%。目前，該產(chǎn)品已穩(wěn)定批量供應國內(nèi)外知名FAB及先進封裝廠，應用覆蓋從8寸到12寸的各種尺寸，技術(shù)節(jié)點涉及邏輯類芯片14nm、存儲類芯片1ynm等先進制程。隨著客戶端驗證測試工作的持續(xù)推進，興福電子級硫酸的銷量將持續(xù)增長，預計2025年將邁上一個新的臺階。
此外，興福電子在電子級硫酸領(lǐng)域還獲得了豐富的知識產(chǎn)權(quán)，包括多項發(fā)明專利和實用新型專利，為該公司的技術(shù)創(chuàng)新和市場競爭提供了堅實保障。與國內(nèi)外競品相比，興福的電子級硫酸產(chǎn)品在各項指標上均表現(xiàn)出色，充分展示了公司在該領(lǐng)域的領(lǐng)先地位和強勁實力。
興福電子憑借電子級雙氧水31%H2O2、硅系列蝕刻液（D、E、PE-1、HNA等）競逐年度優(yōu)秀創(chuàng)新產(chǎn)品獎。
電子級雙氧水31%H2O2主要用于集成電路制造工藝中的清洗、蝕刻和光刻膠去除。
電子級雙氧水是通用型濕電子化學品消費占比最大的品種。興福電子該項目深入研究了雙氧水的分解特性和樹脂的分子結(jié)構(gòu)，成功篩選出了適用于雙氧水專用且耐強氧化的膜和樹脂材料。在此基礎(chǔ)上，公司進一步改進了提純工藝，實現(xiàn)了對雙氧水中Na、Fe、Ca、Mg、Zn、Cu等重點金屬離子的深度去除。通過自主研發(fā)的電子級雙氧水工藝與創(chuàng)新的提純技術(shù)相結(jié)合，興福電子成功制得了高純度電子級雙氧水產(chǎn)品，推動了國內(nèi)電子級雙氧水向高端化、國際化發(fā)展，打破了國際技術(shù)封鎖，實現(xiàn)了高端電子級雙氧水的國產(chǎn)化。
在關(guān)鍵技術(shù)及創(chuàng)新點方面，興福電子進行了多項深入研究。首先，研究了耐強氧化膜和樹脂材料，包括大孔吸附樹脂、陽離子交換樹脂、陰離子交換樹脂以及混床樹脂，以提升電子級雙氧水產(chǎn)品的品質(zhì)。通過精確篩選和轉(zhuǎn)型處理，該公司成功降低了雙氧水中的有機物雜質(zhì)和金屬離子含量。其次，調(diào)整了提純工藝，開發(fā)了電子級雙氧水IEX樹脂純化工藝技術(shù)，并創(chuàng)新性地增加了專用樹脂柱實現(xiàn)鈉元素的專用提純技術(shù)。這些創(chuàng)新措施有效控制了雙氧水的分解，進一步提升了產(chǎn)品品質(zhì)。
截至目前，興福電子已獲得了多項與電子級雙氧水制備相關(guān)的知識產(chǎn)權(quán)，包括一種高純過氧化氫溶液的制備工藝及設備、一種高效安全去除雙氧水中陰離子的提純方法以及一種樹脂強效清洗與同步添加裝置等。
在產(chǎn)品質(zhì)量方面，興福電子級雙氧水產(chǎn)品已達到了國際領(lǐng)先水平。截止2023年12月，該產(chǎn)品的鈉含量已控制在4ppt左右，其他少數(shù)幾個金屬離子含量低于3ppt，絕大部分金屬離子含量低于1ppt，陰離子含量低于5ppb，TOC含量低于1ppm。這些優(yōu)異的質(zhì)量指標不僅優(yōu)于國際標準，也滿足了國內(nèi)外知名半導體企業(yè)的嚴苛要求。同時2025年將實現(xiàn)8萬噸/年產(chǎn)能，保證客戶穩(wěn)定供應。
硅系列蝕刻液（D、E、PE-1、HNA等）主要應用于晶圓蝕刻。
在關(guān)鍵技術(shù)及創(chuàng)新方面，興福電子開發(fā)了重摻P+硅/輕摻P-硅選擇性的HNA蝕刻液，實現(xiàn)了P+/P-型硅的蝕刻選擇比大于100:1，蝕刻均勻性優(yōu)異。同時，興福電子還研發(fā)了蝕刻速率可控的D蝕刻液和粗糙度可調(diào)的E蝕刻液，分別實現(xiàn)了蝕刻速率在3μm/min至20μm/min內(nèi)和硅片粗糙度Ra在50nm至300nm范圍內(nèi)的可調(diào)性。此外，針對多晶硅/二氧化硅的高蝕刻選擇比需求，興福電子團隊開發(fā)了PE-1蝕刻液，其蝕刻選擇比同樣超過100:1。為了提升檢測效率與精度，興福電子團隊還完善了混酸組分檢測方法，創(chuàng)新了多組分酸性混合物的高效精確檢測技術(shù)。
基于上述創(chuàng)新技術(shù)，興福團隊設計并優(yōu)化了蝕刻液配方，推出了多款可根據(jù)客戶具體要求調(diào)節(jié)的硅蝕刻液產(chǎn)品。這些產(chǎn)品包括選擇性P型硅蝕刻液（HNA蝕刻液）、鏡面形貌、速率可控的減薄液（D蝕刻液）、粗糙度可調(diào)的打毛液（E蝕刻液）以及高選擇性的多晶硅蝕刻液（PE-1蝕刻液）。它們分別應用于背照式CMOS芯片、硅片背面減薄工藝、硅片背面打毛工藝以及晶圓制造背面工藝中，對于提高芯片性能、降低生產(chǎn)成本具有重要意義。
目前，興福硅系列蝕刻液已成功供應給國內(nèi)多家知名半導體客戶，其產(chǎn)品在國內(nèi)客戶中的占有率高達60%以上，并在紹興中芯、廣州粵芯、青島芯恩、濟南比亞迪、華虹集團等知名Fab廠得到廣泛應用。
展望未來，湖北興福電子材料股份有限公司表示，將以成為世界一流電子材料企業(yè)為目標，持續(xù)加大研發(fā)投入，致力于推動集成電路材料技術(shù)的不斷進步與發(fā)展，為集成電路產(chǎn)業(yè)的繁榮作出更加積極的貢獻。
2025半導體投資年會暨IC風云榜頒獎典禮將于2024年12月舉辦，獎項申報已啟動，目前征集與候選企業(yè)/機構(gòu)報道正在進行中，歡迎報名參與，共赴行業(yè)盛宴！
【年度市場突破獎】
旨在表彰2024年度實現(xiàn)單款產(chǎn)品高銷售收入或銷量收入突出性高增長，在細分領(lǐng)域市場占有率處于領(lǐng)先地位，產(chǎn)品應用市場廣泛的企業(yè)。
【報名條件】
1、深耕半導體某一細分領(lǐng)域，2024年企業(yè)總體營收超過1億元人民幣，或?qū)崿F(xiàn)20%以上的增長；
2、產(chǎn)品具備較強市場競爭力，在細分領(lǐng)域占據(jù)領(lǐng)先的市場份額，具有完全自主知識產(chǎn)權(quán)。
【評選標準】
技術(shù)或產(chǎn)品的主要性能和指標（30%）；
產(chǎn)品的銷量及市場占有率（40%）；
企業(yè)營收情況（30%）。
【年度優(yōu)秀創(chuàng)新產(chǎn)品獎】
旨在表彰補短板、填空白或?qū)崿F(xiàn)國產(chǎn)替代，對于我國半導體產(chǎn)業(yè)鏈自立自強發(fā)展具有重要意義的企業(yè)。
【報名條件】
1、深耕半導體某一細分領(lǐng)域，近一年內(nèi)實現(xiàn)新產(chǎn)品的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化；
2、產(chǎn)品的技術(shù)創(chuàng)新性強，具有自主知識產(chǎn)權(quán)，產(chǎn)生一定效益，促進完善供應鏈自立自強。
【評選標準】
技術(shù)或產(chǎn)品的主要性能和指標（30%）；
技術(shù)的創(chuàng)新性（40%）；
產(chǎn)品銷量情況（30%）。
