德州儀器(TI) 宣布，已開始在日本會(huì)津的工廠生產(chǎn)氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體。隨著會(huì)津廠進(jìn)入生產(chǎn)，加上位于德州達(dá)拉斯的現(xiàn)有GaN制造作業(yè)，TI現(xiàn)針對(duì)GaN 功率半導(dǎo)體的自有產(chǎn)能可增加至四倍之多。

TI的技術(shù)與制造資深副總裁Mohammad Yunus表示，以超過10年的GaN晶片設(shè)計(jì)與制造專業(yè)知識(shí)，我們已成功驗(yàn)證8吋GaN 技術(shù)，并在會(huì)津展開量產(chǎn)，這是現(xiàn)今擴(kuò)充性最高且最具成本競(jìng)爭(zhēng)力的GaN 制造技術(shù)。這個(gè)里程碑使我們擁有更多的GaN 晶片自有產(chǎn)能，并在2030年前將內(nèi)部制造的比率提升至95%以上，同時(shí)也讓我們可從多個(gè)TI 據(jù)點(diǎn)進(jìn)行采購，確保整個(gè)高功率、節(jié)能半導(dǎo)體GaN 產(chǎn)品組合的可靠供應(yīng)。

TI表示，GaN 做為矽的替代方案，這款半導(dǎo)體材料可在許多領(lǐng)域中提供優(yōu)勢(shì)，包括節(jié)能、開關(guān)速度、電源解決方案尺寸與重量、整體系統(tǒng)成本，以及在高溫與高壓條件下的性能等。GaN晶片可提供更高的功率密度，也就是在更小的空間提供更多功率，使其能應(yīng)用于筆記型電腦或行動(dòng)電話的電源轉(zhuǎn)接器，或是更小、更節(jié)能的加熱與空調(diào)系統(tǒng)和家用電器馬達(dá)?，F(xiàn)在，TI提供最廣泛的整合式GaN功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合，從低電壓到高電壓都包含在內(nèi)，借此實(shí)現(xiàn)最為節(jié)能、可靠且具高功率密度的電子產(chǎn)品。

TI的高電壓電源副總裁Kannan Soundarapandian表示，利用GaN，TI就能更有效率地在小巧的空間中提供更高效的功率，這也是推動(dòng)我們眾多客戶創(chuàng)新的主要市場(chǎng)需求。諸如服務(wù)器電源、太陽能發(fā)電和AC/DC 轉(zhuǎn)接器等系統(tǒng)的設(shè)計(jì)師正面臨必須要減少功耗并提升能源效率的挑戰(zhàn)，他們對(duì)于TI高性能GaN 晶片可靠供應(yīng)的需求也與日俱增。TI的整合式GaN功率級(jí)產(chǎn)品組合讓客戶可實(shí)現(xiàn)更高的功率密度、提升易用性，并降低系統(tǒng)成本。此外，憑借TI的專利矽基氮化鎵制程、經(jīng)過超過8,000萬小時(shí)的可靠性測(cè)試，并具備整合式保護(hù)功能，TI的GaN晶片能確保高電壓系統(tǒng)安全無虞。

TI指出，新產(chǎn)能使用現(xiàn)今市面上最先進(jìn)的設(shè)備來制造GaN 晶片，因此可提升產(chǎn)品性能與制程效率，同時(shí)還能提供成本優(yōu)勢(shì)。另外，在TI持續(xù)擴(kuò)展的GaN制造作業(yè)中，采用了更先進(jìn)且有效率的工具，不但可生產(chǎn)更小的晶片，還能進(jìn)一步封裝更多功率。這項(xiàng)創(chuàng)新設(shè)計(jì)可使用較少的水、能源和原物料進(jìn)行制造，而使用GaN晶片的最終產(chǎn)品亦可享有相同的環(huán)境效益。

TI 強(qiáng)調(diào)，增加GaN制造規(guī)模的性能優(yōu)勢(shì)使其可將GaN晶片提升至較高的電壓，從900伏特開始，隨著時(shí)間推移增加至更高的電壓，借此進(jìn)一步推動(dòng)機(jī)器人、再生能源和伺服器電源等應(yīng)用的能源效率與尺寸創(chuàng)新。此外，TI 的擴(kuò)大投資包含于2024年稍早在12吋晶圓上成功進(jìn)行GaN制造的試行作業(yè)。 TI持續(xù)擴(kuò)大的GaN制程技術(shù)可以完全轉(zhuǎn)換至12吋晶圓上，讓其能隨時(shí)根據(jù)客戶需求進(jìn)行調(diào)整，并在未來移轉(zhuǎn)至透過12吋技術(shù)進(jìn)行生產(chǎn)。