據(jù)天眼查顯示，上海海櫟創(chuàng)科技股份有限公司近日取得一項名為“節(jié)省面積與更低功耗的SRAM結(jié)構(gòu)及其自定時控制方法”的專利，授權(quán)公告號為CN118380026B，授權(quán)公告日為2024年9月17日，申請日為2024年6月19日。

本發(fā)明揭示了一種節(jié)省面積與更低功耗的SRAM結(jié)構(gòu)及其自定時控制方法，所述SRAM結(jié)構(gòu)包括多個串聯(lián)的虛擬存儲體；虛擬存儲體設(shè)置在真實存儲體的一側(cè)。進一步的，虛擬存儲體包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管；第一NMOS管的源極接地，漏極連接于第三NMOS管、源極和第一PMOS管的漏極、第二PMOS管的柵極和第二NMOS管的柵極。本發(fā)明能夠縮短放電時間，從而能夠縮短靈敏放大器的開啟時間，還能夠?qū)崿F(xiàn)對時序控制電路的精確操作，從而能夠解決傳統(tǒng)電路中邏輯門延遲大、自控性差以及可靠性等問題，且有效節(jié)省功耗。