據(jù)天眼查顯示，粵芯半導(dǎo)體技術(shù)股份有限公司近日取得一項(xiàng)名為“一種半導(dǎo)體器件中的互連金屬的沉積方法”的專利，授權(quán)公告號(hào)為CN117127154B，授權(quán)公告日為2024年8月6日，申請(qǐng)日為2023年10月16日。

本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N半導(dǎo)體器件中的互連金屬的沉積方法，其中，該方法包括：在待沉積襯底的表面上按照第一預(yù)設(shè)沉積條件執(zhí)行互連金屬的第一次沉積操作，以得到在所述待沉積襯底的表面上沉積的第一沉積層，第一預(yù)設(shè)沉積條件用于限制第一沉積層的互連金屬的晶粒尺寸；在所述第一沉積層的表面按照第二預(yù)設(shè)沉積條件執(zhí)行互連金屬的第二次沉積操作，以在所述第一沉積層的表面沉積第二沉積層，第二預(yù)設(shè)沉積條件用于限制沉積過(guò)程中互連金屬的原子遷移率及沉積速率；在所述第二沉積層的表面按照第三預(yù)設(shè)沉積條件執(zhí)行互連金屬的第三次沉積操作，以在所述第二沉積層的表面沉積的第三沉積層，第三預(yù)設(shè)沉積條件用于限制沉積操作形成的沉積層厚度及沉積速率。