內(nèi)存技術(shù)步入DDR5時代，除了CPU與顯卡是直接影響整機運行效率與計算能力的核心要素外，內(nèi)存條對整體系統(tǒng)性能的增益效應日益突顯。作為新一代內(nèi)存，DDR5憑借在容量、效能及穩(wěn)定性等方面的顯著優(yōu)勢，已逐步成為高端智能設(shè)備的首選內(nèi)存解決方案。
近年來，時創(chuàng)意積極布局DDR5 SODIMM/UDIMM、DDR4 SODIMM/UDIMM等DRAM內(nèi)存模組系列，憑借自身在全產(chǎn)品線的軟固件自主開發(fā)和測試驗證、高速硬件設(shè)計和建模仿真、自研先進封裝工藝和自主搭建制造產(chǎn)線、高速自動化測試設(shè)備全Pattern開發(fā)能力等技術(shù)優(yōu)勢，面向PC、筆記本電腦等應用終端提供全新內(nèi)存技術(shù)及定制開發(fā)服務(wù)。同時，時創(chuàng)意依托強有力的品質(zhì)管理體系，有效保障了產(chǎn)品的量產(chǎn)性能、良率及交付能力。
全新高頻DDR5-8000，速度與效能的“巔峰之作”
近期，時創(chuàng)意推出全新高頻內(nèi)存條DDR5-8000。此款產(chǎn)品嚴格精選Hynix A-Die顆粒，頻率高達8000MHz，雙條容量32GB（16GBx2），工作電壓1.5V，時序為CL38-48-48-128，支持 Intel XMP3.0 與AMD EXPO技術(shù)。
（以上為產(chǎn)品樣例，具體產(chǎn)品外觀以實際出貨為準）
DDR5-8000內(nèi)存顆粒通過多重流程嚴選，性能優(yōu)良可靠，輕松釋放出色超頻性能。時創(chuàng)意實驗室在良好兼容性的主板與處理器硬件環(huán)境下，將內(nèi)存極限超頻至8600MHz，充分挖掘硬件潛能，滿足對極致性能的追求。
時創(chuàng)意DDR5-8000性能超頻測試
此次測試使用的平臺是華碩ROG MAXIMUS Z790 APEX ENCORE 搭配CPU i5-14600K。時創(chuàng)意DDR5-8000 32GB（16GBx2）開啟XMP模式后，頻率達到8000MHz，Runmemtestpro燒機測試100% PASS。AIDA64讀取速度116.47 GB/s，寫入速度121.18 GB/s，復制速度112.99 GB/s，內(nèi)存延遲58.6ns。
時創(chuàng)意DDR5-8000頻率進一步提升至8600MHz，時序調(diào)整為CL42-62-62-144，內(nèi)存電壓1.55V。AIDA64讀寫有所突破，讀取速度達122.18 GB/s，寫入速度130.23 GB/s。
DDR5-8000可輕松應對大型游戲運行、高強度渲染創(chuàng)作等高負載任務(wù)。辦公應用層面，諸如圖形設(shè)計、三維動畫渲染、商務(wù)辦公以及復雜軟件編程等專業(yè)應用場景，高效的內(nèi)存管理機制與數(shù)據(jù)處理能力確保了整體的流暢度與響應速度；游戲表現(xiàn)上，通過實測數(shù)據(jù)顯示，該產(chǎn)品在運行《PUBG》、《永劫無間》、《彩虹六號：圍攻》等大型主流游戲時，幀率穩(wěn)定性及幀時間的表現(xiàn)出色，低延遲特性與高帶寬優(yōu)勢有效避免了畫面卡頓等問題，為玩家?guī)砀z滑流暢的游戲體驗。
作為一款高端定位的內(nèi)存產(chǎn)品，RGB燈光效果的融入同樣值得關(guān)注。DDR5-8000頂部鑲嵌高品質(zhì)RGB LED，覆蓋RGB全色域，實現(xiàn)從微妙漸變到鮮明對比的豐富光色搭配，再搭配細磨砂霧面導光罩，提升整體光效質(zhì)感，營造如夢似幻的視覺氛圍。此外，用戶還可根據(jù)喜好自由調(diào)節(jié)至恒亮、呼吸、閃爍等多種動態(tài)效果。
（以上為產(chǎn)品樣例，具體產(chǎn)品外觀以實際出貨為準）
D5/D4高效能內(nèi)存解決方案，滿足全場景存儲需求
DDR5帶來了顯著的性能提升，對于追求極致性能且預算充足的用戶，DDR5是理想之選；而尋求性價比，或現(xiàn)有硬件平臺尚未支持DDR5的用戶，DDR4也同樣是可靠選擇。時創(chuàng)意D5/D4高效能內(nèi)存解決方案，以卓越性能、穩(wěn)定可靠及大容量配置，滿足用戶復雜多變場景下的使用需求。
DDR5 SODIMM/UDIMM：專為新一代DDR5平臺設(shè)計，傳輸速率高達6400Mhz，容量高達64GB，內(nèi)置PMIC電源管理芯片與On-die ECC功能令設(shè)備運行更穩(wěn)定，且兼容Intel與AMD平臺，滿足PC、廣告機、教育電子等高效能智能終端的需求。其中，DDR5 UDIMM支持定制的Intel XMP 3.0 與 AMD EXPO一鍵超頻技術(shù)，更是將筆記本、一體機等客戶端體驗推至更高水準。
DDR4 SODIMM/UDIMM：傳輸速率最高可達3200Mbps*，輕松提升設(shè)備數(shù)據(jù)傳輸性能。容量高達32GB，設(shè)備運行更流暢。嚴選品質(zhì)元件，經(jīng)過多重嚴苛測試，確保時刻穩(wěn)定運行。前者適用于筆記本電腦、一體機、廣告機；后者多使用在臺式電腦、教育電子、自動化設(shè)備等應用場景。
DDR4 UDIMM 電競游戲版：適配DDR4電競游戲平臺，容量高達32GB，可一鍵超頻至3733Mbps*，輕松應對電競游戲、渲染創(chuàng)作等高負載任務(wù)。經(jīng)過時創(chuàng)意多重嚴苛測試，確保在長時間高負荷游戲中也能維持穩(wěn)定高效的性能表現(xiàn)，出色的性價比使其成為升級裝備時的擇優(yōu)之選。
隨著AI、5G、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)等技術(shù)的快速發(fā)展，內(nèi)存容量和帶寬的需求激增。以DDR5-8000為代表的時創(chuàng)意D5/D4高效能內(nèi)存解決方案，為不同需求下的企業(yè)或個人用戶提供了多樣化存儲選擇。依靠技術(shù)的不斷進步，時創(chuàng)意將持續(xù)拓展更加先進、智能的全場景產(chǎn)品矩陣，以數(shù)智化變革助力萬物互聯(lián)，塑造更加美好的數(shù)字生活。
※文中數(shù)據(jù)來源于時創(chuàng)意實驗室，環(huán)境差異可能導致數(shù)據(jù)波動。
