近日，華引芯聯(lián)合華中科技大學研發(fā)的一項電子束聚焦技術(shù)成果刊發(fā)于《自然·通訊》雜志，題為“Boosting the electron beam transmittance of field emission cathode using a self-charging gate”（利用自充電柵極提高場發(fā)射陰極的電子束透過率）。這項研究能夠?qū)崿F(xiàn)對電子束的精準控制，在微納制造領域具有重要應用前景。

根據(jù)華引芯介紹，電子束聚焦技術(shù)可以通過外加電場或磁場實現(xiàn)，具有高分辨率、精密控制、非接觸加工和適用范圍廣的特點。這一技術(shù)被廣泛應用于半導體行業(yè)的芯片制造、納米加工領域的納米結(jié)構(gòu)制備、光刻領域的光罩制作以及光源領域中的顯示成像。

研究團隊在器件表面沉積了一層駐極體材料氮化硅（SiNx），SiNx駐極體內(nèi)部的Si3+陷阱中心可以實現(xiàn)對電子的捕獲和穩(wěn)定存儲。當電子發(fā)射到器件表面后，器件會捕獲電子進行充電，充電后的器件表面帶負電，從而可以實現(xiàn)對后續(xù)電子的穩(wěn)定聚焦效果。

華引芯表示，這項新技術(shù)不同于傳統(tǒng)的電子束聚焦方案，無需引入額外的靜電場或者磁場，因此能夠?qū)崿F(xiàn)對電子束的精準控制。

據(jù)悉，該工作在華中科技大學光電學院與引力中心實驗平臺共同完成，得到國家自然科學基金等資助。

（校對/孫樂）