3月20日，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司宣布，公司聯(lián)合浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心先進半導(dǎo)體研究院、硅及先進半導(dǎo)體材料全國重點實驗室，采用自主開創(chuàng)的鑄造法于今年2月成功制備了高質(zhì)量6英寸非故意摻雜及導(dǎo)電型氧化鎵單晶，并加工獲得了6英寸氧化鎵襯底片。

氧化鎵作為一種超寬禁帶材料，稱之為第四代半導(dǎo)體材料。鎵仁表示，基于上述成果，鎵仁也成為了國內(nèi)首個掌握6英寸氧化鎵單晶襯底制備技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化公司。

據(jù)介紹，此次制備6英寸氧化鎵襯底采用的鑄造法，具有以下顯著優(yōu)勢：一是鑄造法成本低，由于貴金屬Ir的用量及損耗相比其他方法大幅減少，成本顯著降低；二是鑄造法簡單可控，其工藝流程短、效率高、尺寸易放大；三是鑄造法擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)，中國和美國專利已授權(quán)，為突破國外技術(shù)壟斷，實現(xiàn)國產(chǎn)化替代奠定堅實基礎(chǔ)。

就氧化鎵襯底方面來看，日本的NCT目前占據(jù)領(lǐng)先地位。但隨著國內(nèi)企業(yè)制備氧化鎵襯底的技術(shù)升級和產(chǎn)能提升，總體呈現(xiàn)追趕態(tài)勢，后續(xù)有望獲取更多的氧化鎵市場。