【編者按】2024年度IC風(fēng)云榜再度升級，獎項(xiàng)擴(kuò)展至35個、榜單增至59項(xiàng)，不僅在形式和深度上煥然一新，而且分類更加科學(xué)全面，產(chǎn)業(yè)觸達(dá)程度更深、行業(yè)影響力持續(xù)擴(kuò)大。本屆評委會由半導(dǎo)體投資聯(lián)盟超100家會員單位、500+半導(dǎo)體行業(yè)CEO共同擔(dān)任，獲獎名單將于2024半導(dǎo)體投資年會暨IC風(fēng)云榜頒獎典禮上隆重揭曉，激發(fā)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新潛能，樹立產(chǎn)業(yè)新標(biāo)桿。
【候選企業(yè)】深圳愛仕特科技有限公司（以下簡稱：愛仕特）
【候選獎項(xiàng)】年度技術(shù)突破獎、年度優(yōu)秀創(chuàng)新產(chǎn)品獎
碳化硅（SiC）功率器件相較于傳統(tǒng)硅基器件，在高壓、高溫、高頻、大功率等方面擁有更好的系統(tǒng)節(jié)能特性，在新能源汽車、光伏、儲能等領(lǐng)域的滲透率將日益提升。研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2023年全球碳化硅功率器件市場規(guī)模大約為31億美元，預(yù)計2029年將達(dá)到152億美元，未來幾年復(fù)合年均增長率（CAGR）為30%，市場前景廣闊。
全球碳化硅模塊前五大生產(chǎn)商均為國外廠商，占據(jù)了大約70%的市場份額，在該領(lǐng)域內(nèi)，國產(chǎn)廠商還有很大的發(fā)展和替代空間，其中，愛仕特在碳化硅功率器件領(lǐng)域展現(xiàn)出了領(lǐng)先的技術(shù)實(shí)力。
愛仕特成立于2017年12月，是一家專注于第三代半導(dǎo)體SiC MOSFET芯片研發(fā)及功率模塊生產(chǎn)的國家高新技術(shù)企業(yè)及深圳市專精特新企業(yè)，已建成車規(guī)級SiC功率模塊工廠，先后通過了IATF16949汽車行業(yè)質(zhì)量管理體系、ISO9001/45001/14001三體系和AEC-Q101產(chǎn)品可靠性認(rèn)證。目前公司產(chǎn)品涵蓋650V-3300V/5A-150A的SiC MOSFET、高功率低耗損的SiC功率模塊以及基于SiC功率器件的整機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)方案。
在具體產(chǎn)品方面，愛仕特推出了全新SiC模塊，采用了62mm工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝，突破了硅IGBT技術(shù)在62mm封裝的功率密度極限，為碳化硅打開了250kW以上中等功率應(yīng)用的大門，擴(kuò)展到太陽能、服務(wù)器、儲能、電動汽車充電樁、牽引以及商用感應(yīng)電磁爐和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)等。
愛仕特62mm封裝模塊采用標(biāo)準(zhǔn)基板和接口，可兼容行業(yè)內(nèi)各大主流產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)快速替換使用，現(xiàn)有30A/650V、60A/1700V和100A/1700V等型號供選擇。
該模塊采用成熟的62mm器件半橋拓?fù)湓O(shè)計，同時采用了全焊片工藝以及自建不同熔點(diǎn)焊片體系，保證了焊料層的穩(wěn)定性及可控性，提高了器件的耐溫度循環(huán)能力。
愛仕特62mm封裝模塊具有出色的溫度循環(huán)能力和175℃的連續(xù)工作溫度（Tvjop），帶來出色的系統(tǒng)可靠性。其內(nèi)部的對稱環(huán)流設(shè)計，使得產(chǎn)品具有更低寄生參數(shù)及開關(guān)特性。
該62mm封裝模塊搭載愛仕特的SiC MOSFET芯片，可實(shí)現(xiàn)極高的電流密度。其極低的開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗可以最大限度地減少冷卻器件尺寸。在高開關(guān)頻率下運(yùn)行時，可使用更小的磁性元件。憑借愛仕特的SiC芯片技術(shù)，客戶可以設(shè)計尺寸更小的逆變器，從而降低整體系統(tǒng)成本。
愛仕特已于2022年9月完成A+輪融資，超過3億元。
展望未來，愛仕特將積極響應(yīng)國家大力發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策，繼續(xù)深耕碳化硅功率器件領(lǐng)域，未來還會繼續(xù)聚焦科技前沿，加大科研投入，為各領(lǐng)域提供更多創(chuàng)新的碳化硅功率器件產(chǎn)品和服務(wù)。
2024半導(dǎo)體投資年會暨IC風(fēng)云榜頒獎典禮將于2023年12月舉辦，獎項(xiàng)申報已啟動，目前征集與候選企業(yè)/機(jī)構(gòu)報道正在進(jìn)行，歡迎報名參與，共赴行業(yè)盛宴！
【年度技術(shù)突破獎】
旨在表彰2023年度于前沿技術(shù)領(lǐng)域開展原始性重大技術(shù)創(chuàng)新，達(dá)到國際先進(jìn)/領(lǐng)先水平，未來或產(chǎn)生重大經(jīng)濟(jì)社會效益，對于推動我國集成電路產(chǎn)業(yè)鏈自主安全可控發(fā)展發(fā)揮重大作用的企業(yè)。
【報名條件】
1、深耕半導(dǎo)體某一細(xì)分領(lǐng)域，2023年發(fā)布的新技術(shù)或產(chǎn)品具有原始性重大技術(shù)創(chuàng)新，達(dá)到國際先進(jìn)/領(lǐng)先水平；
2、產(chǎn)品應(yīng)用范圍廣，具有良好市場前景，對全球及國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展起到重要作用。
【評選標(biāo)準(zhǔn)】
1、技術(shù)的原始創(chuàng)新性（50%)
2、技術(shù)或產(chǎn)品的主要性能和指標(biāo)（30%)
3、產(chǎn)品的市場前景及經(jīng)濟(jì)社會效益（20%）
【年度優(yōu)秀創(chuàng)新產(chǎn)品獎】
旨在表彰補(bǔ)短板、填空白或?qū)崿F(xiàn)國產(chǎn)替代，對于我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自立自強(qiáng)發(fā)展具有重要意義的企業(yè)。
【報名條件】
1、深耕半導(dǎo)體某一細(xì)分領(lǐng)域，近一年內(nèi)實(shí)現(xiàn)新產(chǎn)品的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化；
2、產(chǎn)品的技術(shù)創(chuàng)新性強(qiáng)，具有自主知識產(chǎn)權(quán)，產(chǎn)生一定效益，促進(jìn)完善供應(yīng)鏈自立自強(qiáng)；
【評選標(biāo)準(zhǔn)】
1、技術(shù)或產(chǎn)品的主要性能和指標(biāo)（30%）
2、技術(shù)的創(chuàng)新性（40%）
3、產(chǎn)品銷量情況（30%）
（校對/張杰）
