三星與SK海力士庫存水位飆高之際，原本DRAM廠高度期盼的DDR5存儲器滲透率大幅提升，為產(chǎn)業(yè)帶來新動能的期盼，也因傳統(tǒng)服務(wù)器市況比預(yù)期糟，導(dǎo)致DDR5市場發(fā)展恐不如預(yù)期，為市況雪上加霜。

研調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技（TrendForce）最新報告示警，傳統(tǒng)服務(wù)器市況不佳，同步?jīng)_擊存儲器產(chǎn)業(yè)，預(yù)期將導(dǎo)致最新DDR5存儲器產(chǎn)品滲透率擴(kuò)大腳步不如預(yù)期。

集邦估計，DDR5導(dǎo)入比重正式超越DDR4的時間點(diǎn)，將因傳統(tǒng)服務(wù)器市況不佳而延后至2024年第3季底，牽動南亞科等臺灣存儲器廠營運(yùn)策略。

集邦指出，因客戶端延長舊機(jī)種產(chǎn)品周期、遞延新機(jī)種導(dǎo)入影響，加上AI服務(wù)器投入擴(kuò)大等因素，今年DDR5導(dǎo)入率將因傳統(tǒng)服務(wù)器市況不佳而明顯收斂。

集邦指出，以服務(wù)器CPU市占率來看，今年英特爾與超微（AMD）均大幅下修SPR與Genoa的比重，牽動DDR5的滲透率，預(yù)估全年在CSP與OEM的導(dǎo)入率僅約13.4%。

臺灣存儲器業(yè)者當(dāng)中，南亞科（2408）為推進(jìn)DDR5技術(shù)較為領(lǐng)先的廠商，其現(xiàn)階段DDR5產(chǎn)品為8Gb，目前進(jìn)度順利，待驗(yàn)證后會逐步拉量，公司力拚DDR5 16Gb明年中在市場推動，在制程推進(jìn)以及新產(chǎn)品開發(fā)上，今年持續(xù)推動第二世代、第三世代10納米制程推進(jìn)。

業(yè)界分析，DDR5與DDR4相比，DDR5在性能、容量和功耗上都有著大幅度提升，例如DDR4資料傳輸速率最大達(dá)到3.2Gbps，DDR5是以4.8Gbps為基準(zhǔn)，最高資料傳輸速率能夠達(dá)到8.4Gbps，比DDR4資料速率提升50%以上。