輸入失調(diào)電壓（Vos）和溫漂(ΔVos/ΔT)是運(yùn)放直流參數(shù)中比較重要的參數(shù)，本文主要介紹運(yùn)放的失調(diào)電壓和溫漂，幫助工程師快速理解。
——本文由江蘇潤(rùn)石資深FAE-Colin Qin 撰寫
1輸入失調(diào)電壓（Vos）和溫漂（ΔVos/ΔT）的概念
1.1 輸入失調(diào)電壓（Vos）的概念
絕對(duì)值定義：輸入失調(diào)電壓 Vos，是指為了讓運(yùn)放的輸出為零，需要額外在輸入端補(bǔ)償?shù)碾妷褐怠Ｒ部啥x為當(dāng)運(yùn)放接成跟隨器且正輸入端接地時(shí)(運(yùn)放雙電源供電)，輸出存在的非 0 電壓。
輸入失調(diào)電壓（Vos）有正有負(fù)，通常擁有正態(tài)分布的特性，正常應(yīng)用時(shí)一般取最大值計(jì)算。以RS633X系列Vos分布為例。
圖 1 RS633X系列Vos分布
常見Vos測(cè)量方法，運(yùn)放做跟隨，正輸入接GND，輸出電壓即為失調(diào)電壓(Vos)。
圖 2 RS6331的Vos測(cè)試電路
1.2 溫漂（ΔVos/ΔT）的概念
定義：溫漂是指運(yùn)放的失調(diào)電壓會(huì)隨溫度的變化而發(fā)生變化。
Bipolar(三極管)工藝的運(yùn)放溫漂比較線性單調(diào)，CMOS工藝的運(yùn)放溫漂不是線性單調(diào)的，但是為了方便描述，統(tǒng)一歸一化為 X uV/℃。
2 輸入失調(diào)電壓（Vos）產(chǎn)生的原因
理想運(yùn)放輸入電壓為零時(shí)，輸出電壓也為零。實(shí)際上由于工藝的限制，運(yùn)放的輸入級(jí)做不到完全對(duì)稱。
圖 3 通用運(yùn)放輸入等效電路
3 Vos修調(diào)的方式和常見規(guī)格
Vos修調(diào)的方式主要有三種：激光修調(diào)(Trim)，電子修調(diào)（e-Trim)，自穩(wěn)零技術(shù)。
通用的CMOS 運(yùn)放的失調(diào)電壓在 3mV~10mV，出廠時(shí)可以經(jīng)過晶圓級(jí)的激光修調(diào)(Trim)，失調(diào)電壓可以收窄到最大 0.5mV，而封裝后的電子修調(diào)，可以精確到 50uV 級(jí)別，如果需要更加小的失調(diào)電壓，運(yùn)放需要用自穩(wěn)零技術(shù)，斬波和自穩(wěn)零技術(shù)可以把失調(diào)電壓控制在 1uV 級(jí)別。
表 1不同修調(diào)下的Vos
4 整體電路Vos的計(jì)算
運(yùn)放的失調(diào)電壓和溫漂會(huì)被線性放大，具體公式為：
（公式1-1）
Vos：25℃下的輸入失調(diào)電壓；
V_dirft：溫漂系數(shù)；
T：環(huán)境溫度
G: 閉環(huán)增益
圖 4 整體電路Vos的計(jì)算
以潤(rùn)石RS6331XF為例，規(guī)格書標(biāo)注Vos最大為±3mV，溫漂為2uV/℃，假設(shè)芯片工作在85℃環(huán)境下，圖4中取R1=1K，R2=99K,將取值代入公式1-1，計(jì)算結(jié)果如下：
即RS6333XF在85℃下，同向放大100倍時(shí)，Vos產(chǎn)生的誤差為±312mV，所以在單電源供電時(shí)，特別需要注意存在負(fù)的失調(diào)電壓，可以適當(dāng)?shù)脑谳斎朐黾悠秒妷骸?/p>
