前言

氮化鎵GaN作為一種第三代半導(dǎo)體材料，近幾年時(shí)間里在消費(fèi)類(lèi)電源市場(chǎng)中得到了廣泛應(yīng)用。尤其是隨著各大手機(jī)、筆電品牌紛紛入局氮化鎵快充，氮化鎵功率器件的性能得到進(jìn)一步驗(yàn)證，同時(shí)也加速了氮化鎵技術(shù)在快充市場(chǎng)中的普及。

氮化鎵技術(shù)的成熟為快充電源市場(chǎng)更新迭代注入了能量，根據(jù)充電頭網(wǎng)不完全統(tǒng)計(jì)，目前市面除了少數(shù)內(nèi)置驅(qū)動(dòng)電路的GaN功率器件對(duì)外部驅(qū)動(dòng)器要求較低之外，其余多數(shù)GaN功率器件均為單管設(shè)計(jì)，應(yīng)用時(shí)需要采用外部驅(qū)動(dòng)電路。

而氮化鎵直驅(qū)控制器則借助內(nèi)置驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)，讓GaN功率器件在應(yīng)用時(shí)可以省去驅(qū)動(dòng)電路，簡(jiǎn)化外圍電路設(shè)計(jì)，并提高電源產(chǎn)品的功率密度，因此在氮化鎵技術(shù)快速普及中發(fā)揮著重要作用。

放眼當(dāng)下市場(chǎng)，已經(jīng)量產(chǎn)商用的氮化鎵直驅(qū)控制器多為國(guó)外廠商產(chǎn)品，客戶的選擇余地十分有限，同時(shí)也蘊(yùn)藏著巨大的商機(jī)。近日，珠海智融科技就推出了一款氮化鎵直驅(qū)控制芯片SW1106，致力于實(shí)現(xiàn)氮化鎵直驅(qū)控制器的國(guó)產(chǎn)化替代，下面充電頭網(wǎng)為大家介紹一下這款新品的亮點(diǎn)。

智融SW1106登場(chǎng)

智融 SW1106 是一顆支持增強(qiáng)型氮化鎵開(kāi)關(guān)管直驅(qū)的高頻反激準(zhǔn)諧振控制器，芯片內(nèi)部集成700V高壓?jiǎn)?dòng)電路和X電容放電功能。同時(shí)內(nèi)部集成氮化鎵驅(qū)動(dòng)器，驅(qū)動(dòng)電壓為6V，可直接驅(qū)動(dòng)增強(qiáng)型氮化鎵開(kāi)關(guān)管。

智融 SW1106 采用SSOP-10封裝，運(yùn)行在帶谷底鎖定的谷底開(kāi)啟工作模式，并集成頻率抖動(dòng)功能以優(yōu)化EMI性能，支持突發(fā)模式。供電采用雙VDD供電設(shè)計(jì)，在輸出電壓USB PD寬輸出場(chǎng)合降低控制器的功率損耗，支持氮化鎵快充，充電器以及開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用。

智融 SW1106 內(nèi)部集成輸入電壓保護(hù)，供電過(guò)壓保護(hù)，輸出過(guò)壓保護(hù)，逐周期電流限制，過(guò)載保護(hù)，輸出過(guò)流保護(hù)，電流取樣電阻開(kāi)路和短路保護(hù)，芯片內(nèi)置過(guò)熱保護(hù)，支持外接熱敏電阻進(jìn)行器件過(guò)熱保護(hù)，保護(hù)功能全面。

充電頭網(wǎng)總結(jié)

得益于氮化鎵器件比傳統(tǒng)的硅器件的開(kāi)關(guān)速度更快、通態(tài)電阻（RDS-on）低、驅(qū)動(dòng)損耗更小，在小型化電源等需要更高頻率的應(yīng)用場(chǎng)合中，相較于傳統(tǒng)硅器件具有無(wú)可比擬的高轉(zhuǎn)換效率和低發(fā)熱特性。這也成為了氮化鎵替代傳統(tǒng)硅器件的重要原因，并讓氮化鎵成為未來(lái)功率器件的主流發(fā)展方向。

逐漸龐大的氮化鎵快充市場(chǎng)以及不斷豐富的氮化鎵功率器件，對(duì)控制器和驅(qū)動(dòng)器形成了強(qiáng)需求。為此，越來(lái)越多的國(guó)產(chǎn)電源芯片廠商針對(duì)氮化鎵快充的應(yīng)用推出了內(nèi)置驅(qū)動(dòng)的主控，將驅(qū)動(dòng)器集成在主控芯片內(nèi)部，可以直接驅(qū)動(dòng)GaN功率器件，一方面精簡(jiǎn)了外圍電路設(shè)計(jì)，同時(shí)也提升產(chǎn)品穩(wěn)定性并節(jié)約成本。

智融 SW1106 氮化鎵直驅(qū)控制器的推出，一方面實(shí)現(xiàn)了氮化鎵控制器的國(guó)產(chǎn)化替代，為氮化鎵快充提供了新的解決方案。另外一方面也豐富了智融在快充電源的產(chǎn)品線，實(shí)現(xiàn)初次級(jí)的芯片供應(yīng)，簡(jiǎn)化采購(gòu)流程。