國家知識產(chǎn)權(quán)局網(wǎng)站日前公布榮耀終端有限公司納米線晶體管技術(shù)專利申請。

申請書內(nèi)容介紹稱，隨著晶體管特征尺寸不斷減小，傳統(tǒng)MOS晶體管對溝道電流的控制能力變?nèi)?，造成嚴重的漏電流。納米線（nanowire）場效應(yīng)晶體管因具有更小的尺寸、更好的柵控特性以及較小的亞閾值擺幅，能夠在提高芯片集成度的同時，提高晶體管的性能。然而采用現(xiàn)有工藝制作的納米線非平面內(nèi)生長，難以實現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)。

榮耀公司申請的專利技術(shù)用于在平面內(nèi)生長納米線，納米線嵌入襯底上的溝槽，槽壁具有導(dǎo)向作用，使納米線可以沿槽壁的延伸方向生長，有利于電子器件的大規(guī)模制作和集成。

集微網(wǎng)查詢發(fā)現(xiàn)，該專利第一發(fā)明人余林蔚目前任職南京大學(xué)教授、博士生導(dǎo)師，學(xué)術(shù)研究方向為三維生長集成存算一體構(gòu)架及GAA-FET器件工藝、可拉伸晶硅電子邏輯、傳感和柔性顯示等，在納米線生長控制領(lǐng)域開展了一系列原創(chuàng)性工作。（校對/Aileen）