近幾年來，氮化鎵功率器件憑借著高頻、高效、低發(fā)熱的特性，在消費(fèi)類電源市場(chǎng)中得到廣泛應(yīng)用，從而加速了傳統(tǒng)電源配件的升級(jí)迭代。不過目前快充領(lǐng)域大規(guī)模商用主要是高壓氮化鎵功率器件，應(yīng)用場(chǎng)景為是開關(guān)電源，而在車載充電器、充電寶、無線充電器等產(chǎn)品領(lǐng)域，氮化鎵幾乎沒有量產(chǎn)應(yīng)用。

充電頭網(wǎng)近期獲悉，業(yè)內(nèi)知名電源芯片品牌智融科技基于氮化鎵功率器件開發(fā)了一款的全新車載充電器方案，不僅支持最大140W功率輸出，而且還配備了兩個(gè)USB-C接口，填補(bǔ)了氮化鎵車充市場(chǎng)的空缺。

智融這套140W雙C口氮化鎵車充方案僅用了一塊PCB板，其結(jié)構(gòu)原理與傳統(tǒng)快充車方案保持一致，左右兩側(cè)分別設(shè)置了一顆固態(tài)電容用于濾波，居中一顆電感使用熱縮管包裹絕緣。電感旁邊便是車充的主控芯片以及兩顆氮化鎵功率器件。輸出端兩個(gè)USB-C接口并排布置，并且設(shè)置了一顆VBUS開關(guān)，整體用料十分精簡。

這套140W雙C口氮化鎵車充的主控芯片采用的智融最新發(fā)布的SW3556。該芯片支持雙USB-C口降壓輸出控制，內(nèi)置的同步降壓轉(zhuǎn)換器支持7A大電流輸出，同時(shí)也內(nèi)置了多種快充協(xié)議，并支持雙口功率盲插以及獨(dú)立限流。值得一提的是，該芯片支持氮化鎵開關(guān)管，可獲得更小的體積和更高的效率。

智融SW3556為同步整流降壓拓?fù)?，支?0V輸入，內(nèi)置同步整流降壓控制器，搭配使用硅MOS或氮化鎵開關(guān)管、電感電容等簡單的外圍器件，即可實(shí)現(xiàn)140W大功率輸出。內(nèi)置的降壓控制器開關(guān)頻率為125KHz，支持PFM/PWM模式運(yùn)行以優(yōu)化轉(zhuǎn)換效率。

此外，智融SW3556支持引腳外接電阻來配置輸出功率以及動(dòng)態(tài)功率分配，在開發(fā)多口快充電源產(chǎn)品時(shí)無需外置單片機(jī)，以此實(shí)現(xiàn)更精簡的外圍并降低成本。適用于車載充電器、多口充電器、插排等產(chǎn)品領(lǐng)域。

兩顆外置的氮化鎵功率器件來自英諾賽科，型號(hào)均為INN040W040A。這是英諾賽科最新推出的增強(qiáng)型硅基氮化鎵功率器件，耐壓40V，導(dǎo)阻僅為4mΩ，采用FCSP 2.6 mm x 1.6 mm的極小尺寸封裝，后續(xù)會(huì)升級(jí)為QFN封裝，提高了器件的可焊接性。適用于高頻DC-DC功率轉(zhuǎn)換、射頻、電腦電源、移動(dòng)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。

充電頭網(wǎng)了解到，英諾賽科INN040W040A基于業(yè)界領(lǐng)先的8英寸生產(chǎn)加工工藝，這也是目前市面上最先量產(chǎn)的先進(jìn)制程氮化鎵功率器件，并且英諾賽科還在對(duì)該器件持續(xù)進(jìn)行優(yōu)化升級(jí)，后續(xù)會(huì)采用QFN封裝，可以進(jìn)一步提高器件的可焊接性，進(jìn)而提升成品可靠性。

充電頭網(wǎng)總結(jié)

隨著氮化鎵快充技術(shù)的大規(guī)模商用，傳統(tǒng)的大塊頭電源適配器逐漸被小巧便攜的氮化鎵快充充電器取代，提升了用戶的使用體驗(yàn)。但在DC-DC電源市場(chǎng)，目前功率器件仍然以硅MOS為主，氮化鎵功率器件的應(yīng)用非常少。

智融140W雙C口氮化鎵車充方案是業(yè)界首款百瓦級(jí)DC-DC應(yīng)用，填補(bǔ)了氮化鎵功率器件在DC-DC快充領(lǐng)域空白。借助第三代半導(dǎo)體功率器件，這套車充方案可以實(shí)現(xiàn)更高的轉(zhuǎn)換效率和功率密度。

如需了解更多產(chǎn)品資訊，可與智融科技或者代理聯(lián)系。