如今QLC NAND Flash開(kāi)始大規(guī)模量產(chǎn),SSD價(jià)格也開(kāi)始下跌到歷史地位,就快實(shí)現(xiàn)“1元1GB”的第一個(gè)偉大目標(biāo)。那么HDD機(jī)械硬盤的生產(chǎn)空間已經(jīng)被壓榨到了極限,出路在哪里?安靜地做一只大容量的倉(cāng)庫(kù)盤可好?希捷也是這樣認(rèn)為的,在近日希捷公布的一份產(chǎn)品路線圖中,展望了HDD未來(lái)的發(fā)展,HDD將會(huì)走上以超大容量取勝的道路,到2025年可以推出使用HAMR技術(shù)打造的單盤100TB的機(jī)械硬盤。
在希捷的業(yè)務(wù)中,今年Q2季度28億美元的營(yíng)收中有25億都來(lái)自HDD硬盤,包括SSD在內(nèi)的非HDD硬盤收入只有2.17億美元,想學(xué)西部數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)型做NAND業(yè)務(wù),沒(méi)有掌握NAND上游資源也是白搭,老老實(shí)實(shí)做好HDD硬盤老本行就行了,放棄是不可能放棄的,只能靠不斷提升容量、性能過(guò)日子。
我們目前使用的多數(shù)是PMR垂直磁紀(jì)錄,而在16TB級(jí)別以上的機(jī)械硬盤會(huì)加入HAMR熱輔助磁記錄技術(shù),HAMR技術(shù)克服了目前阻擾硬盤存儲(chǔ)密度繼續(xù)上升的難題,它利用激光光束精確地聚焦數(shù)據(jù)將被寫(xiě)入的區(qū)域,加熱介質(zhì),避免磁介質(zhì)出現(xiàn)超順磁效應(yīng)。而磁碟在被激光加熱到居里點(diǎn)后,磁盤失去了磁性和超順磁效應(yīng),在數(shù)據(jù)寫(xiě)入后,碟片會(huì)迅速冷卻,穩(wěn)定寫(xiě)入的數(shù)據(jù)。通過(guò)這樣的精確加熱,HAMR可以顯著提升硬盤的寫(xiě)入的密度。理論上說(shuō),采用這種技術(shù)所能達(dá)到的極限存儲(chǔ)密度可達(dá)10TB/平方英寸。
這個(gè)技術(shù)成為希捷繼續(xù)快速提升HDD硬盤容量的秘密武器,不過(guò)目前依然未有相關(guān)的技術(shù)的機(jī)械硬盤出貨,希捷預(yù)計(jì)明年會(huì)有第一批產(chǎn)品面世,正式大規(guī)模出貨要到2020年,那時(shí)候?qū)?huì)出現(xiàn)20+TB級(jí)別機(jī)械盤,一直到2025年會(huì)出現(xiàn)100TB容量的機(jī)械硬盤。
而競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手西部數(shù)據(jù)的發(fā)展路線圖則沒(méi)有如此激進(jìn),只是預(yù)期為40TB級(jí)別機(jī)械盤,不過(guò)西部數(shù)據(jù)還開(kāi)發(fā)了一種全新的微波輔助磁記錄,就是利用微波場(chǎng)作用磁矩,以此提高磁矩的反轉(zhuǎn)速度并且同時(shí)降低反轉(zhuǎn)場(chǎng)。而采用MAMR技術(shù)后,磁盤密度最高可以做到4TB/平方英寸。