日前，北京世紀金光半導(dǎo)體有限公司在石墨烯材料領(lǐng)域取得突破性成果，首次利用SiC外延生長方法，在3英寸SiC襯底上制成石墨烯二維材料，為實現(xiàn)晶圓級石墨烯商業(yè)化規(guī)模生產(chǎn)奠定了重要基礎(chǔ)！

石墨烯是一種二維平面六邊形蜂窩網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的單層碳原子薄膜，因其超高載流子遷移率、超高熱導(dǎo)率、優(yōu)異的等比縮小和有限的散射等優(yōu)異特性，在高頻電子器件、光電子器件及量子器件等諸多領(lǐng)域具有巨大的應(yīng)用前景。

世紀金光公司采用SiC外延法制成晶圓級石墨烯。SiC外延法是目前最具有發(fā)展優(yōu)勢和發(fā)展?jié)撃艿闹苽涫┑目煽糠椒āiC外延制備的石墨烯能和主流CMOS工藝相兼容，無需進行襯底轉(zhuǎn)移，可直接應(yīng)用于電子器件研究。制成石墨烯材料的拉曼光譜中可清晰看到石墨烯的特征峰2D峰和G峰,缺陷峰D峰不明顯，說明晶體質(zhì)量良好。

晶圓級石墨烯材料制備的突破，將滿足新一代微納電子器件的發(fā)展需求，促進我國新興石墨烯產(chǎn)業(yè)化的快速發(fā)展，帶動我國微納電子、電力電子、新能源、新材料等相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈快速發(fā)展。