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盛美上海推出用于化合物半導(dǎo)體金蝕刻工藝的Ultra ECDP電化學(xué)去鍍設(shè)備

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盛美上海Ultra ECDP電化學(xué)去鍍設(shè)備

用于化合物半導(dǎo)體金蝕刻工藝

盛美半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司(以下簡稱“盛美上海”)(科創(chuàng)板股票代碼:688082),作為一家為半導(dǎo)體前道和先進(jìn)晶圓級封裝應(yīng)用提供晶圓工藝解決方案的卓越供應(yīng)商,于今日宣布推出首款專為寬禁帶化合物半導(dǎo)體制造而設(shè)計的Ultra ECDP電化學(xué)去鍍設(shè)備。該新設(shè)備專為在晶圓圖形區(qū)域外進(jìn)行電化學(xué)晶圓級金(Au)蝕刻而設(shè)計,可實現(xiàn)更高的均勻性、更小的側(cè)蝕和增強(qiáng)的金線外觀。

Ultra ECDP設(shè)備提供專業(yè)化工藝,包括金凸塊去除、薄膜金蝕刻及深孔金去鍍,并配備集成的預(yù)濕和清洗腔體。其具備精確的化學(xué)液循環(huán)和先進(jìn)的多陽極電化學(xué)去鍍技術(shù),該系統(tǒng)實現(xiàn)了最小化的側(cè)向蝕刻、優(yōu)異的表面光潔度以及所有圖形特征的卓越均勻性。

盛美上海總經(jīng)理王堅表示:“受到電動汽車、5G/6G通信、射頻和人工智能應(yīng)用等領(lǐng)域的強(qiáng)勁需求推動,化合物半導(dǎo)體市場持續(xù)增長。金因具有高導(dǎo)電性、耐腐蝕性和延展性,正成為這些器件的優(yōu)勢材料,但也帶來了蝕刻和電鍍方面的挑戰(zhàn)。我們的新型Ultra ECDP設(shè)備克服了這些障礙,提供可靠的生產(chǎn)就緒型解決方案,幫助客戶實現(xiàn)高性能成果。這是我們?nèi)绾瓮ㄟ^創(chuàng)新應(yīng)對客戶挑戰(zhàn)的又一例證?!?/p>

Ultra ECDP專為滿足化合物半導(dǎo)體制造不斷發(fā)展的要求而設(shè)計,可適應(yīng)不同襯底(包括碳化硅(SiC)、砷化鎵(GaAs)和磷酸鋰(Li?PO?))等的獨特物理特性 - 如重量、應(yīng)力和厚度。采用模塊化設(shè)計的Ultra ECDP具有靈活性,可在單一平臺內(nèi)集成電鍍和去鍍工藝,并利用多陽極技術(shù)控制不同區(qū)域的去鍍過程。此外,Ultra ECDP還提供水平全表面去鍍方式,以防止加工過程中的交叉污染。

Ultra ECDP系統(tǒng)為高精度金凸塊、薄膜和深孔去鍍提供卓越的均勻性和最小化的側(cè)蝕。

Ultra ECDP設(shè)備兼容6英寸和8英寸平臺,支持150毫米(mm)、159mm和200mm晶圓尺寸。該系統(tǒng)可配置兩個開放式片盒和一個真空機(jī)械臂,為各種制造環(huán)境提供適應(yīng)性。

責(zé)編: 愛集微
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