1.中國(guó)大陸成熟制程芯片市占率兩年內(nèi)超中國(guó)臺(tái)灣？國(guó)臺(tái)辦回應(yīng)
2.北微傳感完成新一輪戰(zhàn)略投資，系慣性姿態(tài)傳感器廠商
3.半導(dǎo)體封裝材料廠商致知博約完成數(shù)千萬(wàn)元Pre-A輪融資
4.ReRAM存儲(chǔ)器先鋒企業(yè)燕芯微完成近億元天使輪融資
5.從FinFET到Flip FET：三維晶體管中國(guó)方案登場(chǎng)
6.有研新材子公司擬1.1億元轉(zhuǎn)讓硫化鋰業(yè)務(wù)資產(chǎn)，洗霸科技將接盤
1.中國(guó)大陸成熟制程芯片市占率兩年內(nèi)超中國(guó)臺(tái)灣？國(guó)臺(tái)辦回應(yīng)
7月30日，國(guó)臺(tái)辦發(fā)言人陳斌華主持例行新聞發(fā)布會(huì)，有媒體提問(wèn)指出，據(jù)報(bào)道，中國(guó)臺(tái)灣智庫(kù)日前發(fā)布報(bào)告稱，中國(guó)大陸在成熟制程芯片領(lǐng)域的市占率預(yù)計(jì)兩年內(nèi)超越中國(guó)臺(tái)灣，全面主導(dǎo)主要科技產(chǎn)品的發(fā)展方向。對(duì)此有何評(píng)論？
陳斌華表示，“我們高度重視科技創(chuàng)新和市場(chǎng)應(yīng)用，借助完備的產(chǎn)業(yè)體系和豐富的應(yīng)用場(chǎng)景，半導(dǎo)體、人工智能等高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)近年來(lái)發(fā)展迅猛，受全球市場(chǎng)需求帶動(dòng)，在成熟制程芯片領(lǐng)域積累了一定的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。未來(lái)，我們還將繼續(xù)依托產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)優(yōu)勢(shì)和超大規(guī)模市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)，持續(xù)推動(dòng)科技創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新深度融合，為包括半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在內(nèi)的高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展創(chuàng)造更好條件。”
陳斌華強(qiáng)調(diào)：“希望兩岸在相關(guān)產(chǎn)業(yè)加強(qiáng)合作、融合發(fā)展，攜手壯大中華民族經(jīng)濟(jì)。我們也歡迎臺(tái)商臺(tái)企搶抓機(jī)遇繼續(xù)投資大陸、扎根大陸，在新一輪科技革命和產(chǎn)業(yè)變革中實(shí)現(xiàn)更好發(fā)展?！?/p>
2.北微傳感完成新一輪戰(zhàn)略投資，系慣性姿態(tài)傳感器廠商
近日，國(guó)內(nèi)慣性姿態(tài)傳感器研發(fā)制造的企業(yè)北微傳感完成新一輪戰(zhàn)略融資，產(chǎn)業(yè)方上市公司柯力傳感參與投資。
官方資料顯示，北微傳感是一家專注慣性姿態(tài)傳感器研發(fā)、制造、銷售的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)，專注慣性傳感器模組及上游器件，自主研發(fā)北斗組合導(dǎo)航系統(tǒng)、慣性測(cè)量、航姿參考系統(tǒng)、光纖陀螺儀、電子羅盤、傾角傳感器等智能傳感器產(chǎn)品，可全面滿足各類慣性姿態(tài)測(cè)量及高精度導(dǎo)航定位的需求，公司在多傳感融合算法和硬件設(shè)計(jì)封裝領(lǐng)域不斷創(chuàng)新，服務(wù)于智能裝備、自動(dòng)駕駛、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域領(lǐng)域5000余家客戶。
柯力傳感近日與北微傳感正式簽署投資協(xié)議，完成了對(duì)北微傳感的戰(zhàn)略投資。
3.半導(dǎo)體封裝材料廠商致知博約完成數(shù)千萬(wàn)元Pre-A輪融資
近期，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體封裝材料企業(yè)致知博約完成數(shù)千萬(wàn)元Pre-A輪融資，由險(xiǎn)峰長(zhǎng)青、鼎興量子、國(guó)汽投資、成都倍特及海河清韋五家機(jī)構(gòu)聯(lián)合注資。本輪資金將用于華南、長(zhǎng)三角及四川三地生產(chǎn)基地建設(shè)，同步擴(kuò)充研發(fā)團(tuán)隊(duì)并引入半導(dǎo)體封裝檢測(cè)設(shè)備。
公開(kāi)資料顯示，致知博約于2022年成立于陜西，專注于顯示面板、半導(dǎo)體封裝及軍工領(lǐng)域的高端電子材料國(guó)產(chǎn)化替代。其技術(shù)積累始于軍工特種材料研發(fā)，后轉(zhuǎn)向顯示及半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域。公司以底層樹脂自主改性為核心技術(shù)路線，是國(guó)內(nèi)極少數(shù)實(shí)現(xiàn)高端封裝材料全鏈條貫通的企業(yè)。其團(tuán)隊(duì)從環(huán)氧樹脂、丙烯酸樹脂分子結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)切入，突破電子級(jí)雜質(zhì)離子控制（PPB級(jí)）、填料均勻分散及長(zhǎng)期信賴性三大技術(shù)壁壘。致知博約在2025年初實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品量產(chǎn)，不同產(chǎn)品分別應(yīng)用于LCD面板封裝、直升機(jī)碳纖維零部件保護(hù)及半導(dǎo)體晶圓減薄切割。
在核心樹脂國(guó)產(chǎn)替代方面，致知博約計(jì)劃以交叉學(xué)科平臺(tái)為支點(diǎn)，2025年成立北京子公司切入新能源汽車封裝材料，同步研發(fā)AI仿真系統(tǒng)優(yōu)化器件測(cè)試流程。另外，該公司顯示用負(fù)性光刻膠通過(guò)首輪驗(yàn)證，半導(dǎo)體晶圓UV減粘膠進(jìn)入中試階段，軍工無(wú)人機(jī)材料完成量產(chǎn)供貨。
4.ReRAM存儲(chǔ)器先鋒企業(yè)燕芯微完成近億元天使輪融資
近日，新型ReRAM存儲(chǔ)器研發(fā)企業(yè)燕芯微宣布完成近億元天使輪融資，本輪融資由領(lǐng)航新界領(lǐng)投，燕緣創(chuàng)投、考拉基金、思瑞浦旗下芯陽(yáng)基金、華宇科創(chuàng)投、佰維存儲(chǔ)等機(jī)構(gòu)共同戰(zhàn)略投資。
公開(kāi)資料顯示，燕芯微成立于2024年，總部在上海，由北京大學(xué)集成電路學(xué)院先進(jìn)存儲(chǔ)與智能計(jì)算實(shí)驗(yàn)室孵化，基于北京大學(xué)多年ReRAM產(chǎn)學(xué)研積累，提出「器件-陣列-芯片」成套R(shí)eRAM全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)關(guān)鍵技術(shù)，是國(guó)內(nèi)新型存儲(chǔ)器研發(fā)先鋒。
與傳統(tǒng)存儲(chǔ)相比，ReRAM具備高存儲(chǔ)密度、高速讀寫、低功耗和高可靠性等優(yōu)點(diǎn)，可在28nm以下制程節(jié)點(diǎn)完全替代eFlash；同時(shí)填補(bǔ)DRAM與NAND之間的空白領(lǐng)域，開(kāi)拓大容量、高密度存儲(chǔ)市場(chǎng)；在端側(cè)推理計(jì)算領(lǐng)域，能夠深度契合大模型計(jì)算需求，解決AI芯片面臨的能效低、內(nèi)存墻等困境，在未來(lái)?yè)碛芯薮蟮臐撛谑袌?chǎng)。
燕芯微基于北京大學(xué)多年ReRAM產(chǎn)學(xué)研積累，面向嵌入式存儲(chǔ)、獨(dú)立式存儲(chǔ)、存算一體、特種應(yīng)用等不同方向，成功構(gòu)建集成密度最高、性能處于業(yè)界領(lǐng)先水平且具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的全套R(shí)eRAM技術(shù)體系，技術(shù)路線已被國(guó)際認(rèn)可。面對(duì)材料兼容性痛點(diǎn)，燕芯微自研后道兼容TAO PVD成膜關(guān)鍵技術(shù)，兼容現(xiàn)行BEOL工藝，無(wú)需設(shè)備改造，擁有高均一性。擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的全新ReRAM器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)不引入惰性金屬，具備低壓及高可靠?jī)?yōu)勢(shì)；全新ReRAM陣列集成設(shè)計(jì)已打破同節(jié)點(diǎn)集成密度紀(jì)錄。
燕芯微專注高密度存儲(chǔ)芯片和存算AI芯片的產(chǎn)品研發(fā)，具備器件、工藝、陣列、電路、架構(gòu)、算法一體的完善產(chǎn)品研發(fā)能力。
5.從FinFET到Flip FET：三維晶體管中國(guó)方案登場(chǎng)
三維晶體管結(jié)構(gòu)包括FinFET和GAA FET等，是半導(dǎo)體工藝演進(jìn)中的關(guān)鍵性突破之一，其重要性在于解決了傳統(tǒng)平面晶體管在納米尺度下的物理極限問(wèn)題，支撐了摩爾定律的延續(xù)。2011年，英特爾成功量產(chǎn)采用FinFET的處理器；2022年，三星電子成為全球首家在3納米工藝中量產(chǎn)采用GAA結(jié)構(gòu)的邏輯半導(dǎo)體的公司；2025年，臺(tái)積電將量產(chǎn)2納米工藝，采用GAA結(jié)構(gòu)。這些都有效推進(jìn)了半導(dǎo)體技術(shù)工藝的演進(jìn)發(fā)展。而在第42屆超大規(guī)模集成電路研討會(huì)（VLSI 2025）上，北京大學(xué)微電子學(xué)院黃如院士團(tuán)隊(duì)公布了新一代三維晶體管結(jié)構(gòu)“倒裝堆疊晶體管（Flip FET, FFET）”，首次實(shí)現(xiàn)了8層晶體管的三維垂直集成，單位面積邏輯密度較傳統(tǒng)FinFET提升3.2倍，功耗降低58%。這一突破性成果被業(yè)界視為延續(xù)摩爾定律的最具潛力方案之一。
三維晶體管技術(shù)持續(xù)演進(jìn)
受人工智能、高性能計(jì)算、數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用的推動(dòng)，近年來(lái)半導(dǎo)體先進(jìn)邏輯工藝的市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大，直接推動(dòng)了全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的成長(zhǎng)。市調(diào)機(jī)構(gòu)Counterpoint Research最新報(bào)告顯示，全球純半導(dǎo)體晶圓代工行業(yè)收入預(yù)計(jì)在2025年將同比增長(zhǎng)17%，超過(guò)1650億美元。先進(jìn)的3nm和5/4nm節(jié)點(diǎn)在推動(dòng)半導(dǎo)體收入增長(zhǎng)方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用，預(yù)計(jì)2025年3nm節(jié)點(diǎn)的收入將同比增長(zhǎng)超過(guò)600%，達(dá)到約300億美元；包括 7nm在內(nèi)的先進(jìn)節(jié)點(diǎn)將在2025年貢獻(xiàn)純晶圓廠總收入的一半以上。
然而在技術(shù)層面，傳統(tǒng)的二維平面集成方式面臨物理極限和工藝極限的瓶頸，當(dāng)晶體管尺寸縮小至20nm以下時(shí)，柵極對(duì)溝道的控制力減弱，導(dǎo)致漏電流劇增、功耗失控，三維堆疊成為接續(xù)摩爾定律演進(jìn)的主要方向。
從目前業(yè)界的發(fā)展進(jìn)程來(lái)看，F(xiàn)inFET解決平面晶體管失效問(wèn)題，在10年內(nèi)支撐了從16nm到5nm的跨越。3nm/2nm以下GAA 將接棒，確保芯片在功耗、性能、集成度上的持續(xù)進(jìn)步。三星電子2022年首家量產(chǎn)采用GAA結(jié)構(gòu)的3納米工藝；2025年臺(tái)積電將采用GAA量產(chǎn)2nm工藝，同時(shí)計(jì)劃在2027年后推出N2P、N2X等2nm的變體工藝，進(jìn)一步優(yōu)化性能與功耗。
至于再下一代的三維晶體管結(jié)構(gòu)，IMEC于2018年提出的補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Complementary FET, CFET）被認(rèn)為是一個(gè)有力的競(jìng)爭(zhēng)者。根據(jù)此前IMEC公布的技術(shù)路線圖，憑借CFET，芯片工藝技術(shù)在2032年將有望進(jìn)化到5埃米（0.5nm），2036年有望實(shí)現(xiàn)2埃米（0.2nm）。臺(tái)積電、三星、英特爾等都在實(shí)驗(yàn)室中對(duì)CFET進(jìn)行了預(yù)研開(kāi)發(fā)。
北大 Flip FET 實(shí)現(xiàn)架構(gòu)創(chuàng)新
不過(guò)隨著近年來(lái)在半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)投入上的增加，我國(guó)在新一代三維晶體管結(jié)構(gòu)上也開(kāi)始發(fā)出自己的聲音。北京大學(xué)吳恒研究員-黃如院士團(tuán)隊(duì)在2024年6月召開(kāi)的集成電路頂級(jí)會(huì)議VLSI2024上，首次提出了FlipFET技術(shù)。在今年召開(kāi)的VLSI2025上，北大團(tuán)隊(duì)再次發(fā)布相關(guān)研究成果。根據(jù)北京大學(xué)集成電路學(xué)院發(fā)布的消息，在VLSI2025上北京大學(xué)集成電路學(xué)院共有12篇高水平學(xué)術(shù)論文入選。其中“倒裝堆疊晶體管的高密度集成驗(yàn)證”和“面向亞1nm節(jié)點(diǎn)的倒裝堆疊晶體管演進(jìn)路線圖”，都受到極大關(guān)注。
根據(jù)相關(guān)報(bào)道，在3D堆疊晶體管和背面互連技術(shù)等新型架構(gòu)的開(kāi)發(fā)過(guò)程中，面臨著高深寬比工藝難點(diǎn)以及設(shè)計(jì)復(fù)雜性等挑戰(zhàn)。FlipFET通過(guò)自對(duì)準(zhǔn)地背靠背堆疊正面（FS）NFET和背面（BS）PFET，并結(jié)合雙面電源/信號(hào)互連，可實(shí)現(xiàn)高密度的晶體管和互連線集成。在此基礎(chǔ)上，為獲得完整晶圓級(jí)集成結(jié)果，經(jīng)過(guò)一年多的打磨，北京大學(xué)吳恒研究員-黃如教授團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)了一系列關(guān)鍵工藝模塊，包括晶圓鍵合、襯底減薄、背面溝道形貌優(yōu)化以及背面光刻對(duì)準(zhǔn)校正，成功獲得了FlipFET的關(guān)鍵正反面器件電性，并報(bào)道了世界首個(gè)背部集成的邏輯晶體管技術(shù)。
實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，正面NFET經(jīng)過(guò)翻轉(zhuǎn)表現(xiàn)良好，背面PFET性能優(yōu)異（最小溝長(zhǎng)低至30 nm，SS=73.1 mV/dec，DIBL=24 mV，開(kāi)關(guān)比達(dá)107），與正面NFET相當(dāng)。FlipFET還展現(xiàn)出天然分離柵結(jié)構(gòu)、約500 mV的多閾值電壓可調(diào)性以及實(shí)現(xiàn)雙面CMOS的能力，顯著優(yōu)于傳統(tǒng)的單片CFET。這些進(jìn)展驗(yàn)證了FlipFET在工藝可實(shí)現(xiàn)性、設(shè)計(jì)靈活性和可擴(kuò)展性方面的巨大潛力，使其成為超越1nm邏輯節(jié)點(diǎn)的重要候選技術(shù)。
在面向亞1nm節(jié)點(diǎn)的倒裝堆疊晶體管演進(jìn)路線圖的研究中，北大團(tuán)隊(duì)針對(duì)A2及以下工藝節(jié)點(diǎn)面臨的功耗、性能與面積（PPA）挑戰(zhàn)，提出了三代結(jié)構(gòu)創(chuàng)新：1）完全自對(duì)準(zhǔn)倒裝堆疊晶體管F3ET，實(shí)現(xiàn)正反面柵極的自對(duì)準(zhǔn)，提高設(shè)計(jì)靈活性并降低柵極互連電阻；2）基于叉形晶體管的完全自對(duì)準(zhǔn)倒裝堆疊晶體管F4ET，并結(jié)合嵌入式供電軌（embedded Power Rail）及背面接觸（Backside Contact），實(shí)現(xiàn)了極致2T標(biāo)準(zhǔn)單元設(shè)計(jì)；3）基于互補(bǔ)堆疊晶體管的倒裝堆疊晶體管CFFET，實(shí)現(xiàn)四層晶體管的終極堆疊。
同時(shí)，研究還拓展至SRAM的微縮路徑，基于多種倒裝堆疊SRAM架構(gòu)方案，成功實(shí)現(xiàn)了FFET SRAM在A2節(jié)點(diǎn)下的同步縮放。該研究構(gòu)建出一套面向極限尺度的DTCO優(yōu)化路徑，驗(yàn)證了FFET面向亞1nm先進(jìn)邏輯晶體管微縮的潛力。
CFET與中國(guó)Flip FET的技術(shù)探索
就半導(dǎo)體工藝技術(shù)而言，所有的現(xiàn)代計(jì)算機(jī)芯片都是由晶體管組成的。經(jīng)典的平面晶體管結(jié)構(gòu)都包含一個(gè)柵極、一個(gè)源極和一個(gè)漏極，并排列在一個(gè)二維平面上。當(dāng)人們對(duì)柵極施加一個(gè)電壓，柵極就會(huì)打開(kāi)，電流從源極流向漏極，電路就會(huì)導(dǎo)通。這是現(xiàn)代計(jì)算機(jī)芯片最基礎(chǔ)的結(jié)構(gòu)。但隨著晶體管的尺寸不斷縮小，特別是溝道的尺寸也隨之縮小，人們面臨的問(wèn)題也隨之增加，人們的解決方案是改變晶體管的結(jié)構(gòu)。從二維平面變?yōu)槿S立體，從FinFET、GAA到CFET以及Flip FET，目標(biāo)都是提高晶體管密度，改善高漏電等問(wèn)題。
CFET的目的就是在單一集成工藝中將n型（nFET）和p型（pFET）晶體管堆疊在一起，通過(guò)晶體管級(jí)的三維堆疊集成，在晶體管結(jié)構(gòu)上作出改變，以便更高效地利用空間，提升器件密度和性能。
據(jù)芯思想報(bào)道，晶體管級(jí)的三維集成技術(shù)目前已經(jīng)受到廣泛關(guān)注。其設(shè)計(jì)思路是通過(guò)在垂直方向上堆疊器件和互連，將傳統(tǒng)的單面布局?jǐn)U展至多面空間，在掩模版尺寸受限的條件下為單芯片提供了突破集成密度上限的可能。
相較而言，CFET的核心是將n型和p型晶體管縱向堆疊于同一單元內(nèi)，直接壓縮水平面積。Flip FET則是在晶圓正面制作nFET，背面制作pFET，通過(guò)晶圓翻轉(zhuǎn)實(shí)現(xiàn)雙面器件堆疊。結(jié)合背面電源軌（BPR）與雙面信號(hào)互連，單元高度可降至5T以下，且供電電阻降低40%，電壓穩(wěn)定性更優(yōu)。CFET以直接n-p堆疊實(shí)現(xiàn)面積減半，但FFET通過(guò)雙面分離設(shè)計(jì)提升供電效率和設(shè)計(jì)靈活性，在超高密度場(chǎng)景（如1納米以下）更具擴(kuò)展性。
吳恒研究員也特別指出，F(xiàn)lip FET并不是一種器件結(jié)構(gòu)技術(shù)，而是器件三維集成的新架構(gòu)。其不僅適用于Fin結(jié)構(gòu)的堆疊，還適用于下一代GAA納米片，具有很強(qiáng)的拓展性。
更加值得關(guān)注的是，F(xiàn)FET還充分結(jié)合了中國(guó)大陸當(dāng)前的設(shè)備情況，可以兼容現(xiàn)有產(chǎn)線，采用非EUV依賴工藝。據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，其可在7nm工藝上進(jìn)行，利用成熟設(shè)備，有效降低了產(chǎn)業(yè)化的門檻。這種集成思路可以依賴現(xiàn)有光刻技術(shù)和設(shè)計(jì)能力將集成電路的集成度持續(xù)提升，更適應(yīng)中國(guó)本土產(chǎn)業(yè)鏈現(xiàn)狀。
中國(guó)方案的機(jī)遇與考驗(yàn)
可以說(shuō)，F(xiàn)lip FET 的發(fā)布，打破了中國(guó)在先進(jìn)邏輯器件領(lǐng)域長(zhǎng)期“跟跑”的被動(dòng)局面，在全球半導(dǎo)體科研領(lǐng)域發(fā)出了自己的聲音。這也引發(fā)臺(tái)積電、英特爾等巨頭的高度關(guān)注。臺(tái)積電研發(fā)總監(jiān)指出，該技術(shù)“重新定義了三維集成的技術(shù)邊界”。
有中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)業(yè)者表示，F(xiàn)lip FET充分利用晶圓背部進(jìn)行晶體管級(jí)三維堆疊，融合了晶圓背部互連和堆疊晶體管集成方法，能提升芯片集成密度和電路設(shè)計(jì)靈活度。通過(guò)創(chuàng)新方案實(shí)現(xiàn)類似CFET的PPA，展現(xiàn)了中國(guó)大陸業(yè)者的研發(fā)韌性。
當(dāng)然，F(xiàn)lipFET面臨的挑戰(zhàn)還有很多，例如，F(xiàn)lipFET晶圓需要進(jìn)行減薄工藝和多個(gè)背面工藝流程，更容易受到晶圓翹曲和套刻誤差的影響，從而降低良率，增加成本。此外，晶圓翻轉(zhuǎn)后，細(xì)間距觸點(diǎn)和金屬的對(duì)準(zhǔn)也是一個(gè)問(wèn)題。目前的Flip FET還處于研發(fā)階段，未來(lái)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)仍需面臨諸多挑戰(zhàn)。
在摩爾定律放緩的背景下，半導(dǎo)體行業(yè)面臨技術(shù)瓶頸。如何持續(xù)優(yōu)化芯片的性能（Performance）、功耗（Power）和面積（Area），已成為全球產(chǎn)業(yè)界與學(xué)術(shù)界共同攻堅(jiān)的核心命題。Flip FET通過(guò)引入雙面有源區(qū)與雙面互連等創(chuàng)新設(shè)計(jì)，將晶圓集成從傳統(tǒng)的單面加工推向三維立體化，為突破摩爾定律桎梏提供了全新范式。相信未來(lái)會(huì)有更多中國(guó)方案被提出。
6.有研新材子公司擬1.1億元轉(zhuǎn)讓硫化鋰業(yè)務(wù)資產(chǎn)，洗霸科技將接盤
7月30日，有研新材發(fā)布公告稱，公司召開(kāi)會(huì)議，審議通過(guò)了《關(guān)于控股子公司有研稀土轉(zhuǎn)讓硫化鋰業(yè)務(wù)相關(guān)資產(chǎn)的議案》，同意控股子公司有研稀土以不低于評(píng)估值10,954.24 萬(wàn)元，公開(kāi)掛牌轉(zhuǎn)讓硫化鋰業(yè)務(wù)相關(guān)資產(chǎn)。
近日，公司控股子公司有研稀土收到北京產(chǎn)權(quán)交易所發(fā)來(lái)的“受讓資格確認(rèn)函”和“交易簽約通知書”，確認(rèn)上海洗霸科技股份有限公司符合受讓條件，合計(jì)成交價(jià)格不低于評(píng)估值，收到通知書 5 個(gè)工作日內(nèi)簽署交易合同并辦理相關(guān)事宜。
公告稱，本次轉(zhuǎn)讓事項(xiàng)尚存在不確定性。
資料顯示，上海洗霸科技股份有限公司于1994年7月成立，并于2017年6月1日在上海證券交易所成功上市。公司是水處理技術(shù)服務(wù)與風(fēng)管清洗服務(wù)提供商，主要是以化學(xué)水處理技術(shù)為基礎(chǔ)，以化學(xué)品為手段，為客戶提供專業(yè)的水處理技術(shù)與整體解決方案服務(wù)和風(fēng)管清洗服務(wù)。
