日本NAND大廠鎧俠（Kioxia）宣布，將在今年度內(nèi)量產(chǎn)被稱為“第9代”的下一代存儲(chǔ)產(chǎn)品，并已開始進(jìn)行樣品出貨。

鎧俠表示，采用第9代BiCS FLASH 3D 閃存技術(shù)的512Gb TLC產(chǎn)品已開始進(jìn)行樣品出貨，預(yù)估將在本財(cái)年內(nèi)（2026年3月底之前）進(jìn)行量產(chǎn)。

鎧俠表示，新產(chǎn)品采用基于第五代BiCS FLASH技術(shù)和最新CMOS技術(shù)的120層堆疊工藝的存儲(chǔ)單元技術(shù)。與上一代產(chǎn)品相比，寫入性能提升了61%，讀取性能提升了12%，寫入功耗提升了36%，讀取功耗提升了27%。此外，引入了Toggle DDR6.0接口，實(shí)現(xiàn)了3.6Gb/s的傳輸速率。

據(jù)報(bào)道，鎧俠新產(chǎn)品將利用鎧俠四日市工廠生產(chǎn)，預(yù)估將應(yīng)用于智能手機(jī)等領(lǐng)域。（校對(duì)/趙月）