據(jù)媒體報道，三星電子公司副總裁、系統(tǒng)封裝實驗室領導 Kim Dae-Woo 在一場產(chǎn)業(yè)研討會上表示，現(xiàn)有的熱壓縮鍵合 (TCB) 技術無法滿足未來 20 層（16 層以上）HBM 內(nèi)存堆棧的生產(chǎn)需求。

負責連接各層 DRAM Die 的鍵合工藝在 HBM 的制造中起到舉足輕重的作用，傳統(tǒng) TCB 包含凸塊結構，這影響了進一步的間距壓縮同時擁有更高熱阻。根據(jù)三星電子給出的數(shù)據(jù)，無凸塊的混合鍵合 (HCB) 可將堆疊層數(shù)提高至多 1/3、熱阻降低至多 20%。

據(jù)悉，三星電子將 16 層堆疊視為 HBM 內(nèi)存鍵合技術從 TCB 轉向 HCB 的關鍵節(jié)點，這大致對應 HBM4E 內(nèi)存世代，到 HBM5 混合鍵合將實現(xiàn)全面應用。