1.三星收購部分英特爾半導(dǎo)體專利權(quán)；
2.積塔半導(dǎo)體“失效測試電路及方法”專利公布；
3.中欣晶圓半導(dǎo)體“改善硅片背封外觀的加工工藝”專利公布；
4.墨?？萍肌耙环N高阻抗石墨烯導(dǎo)熱膜及其制備方法”專利公布；
1.三星收購部分英特爾半導(dǎo)體專利權(quán)；
三星電子已獲得英特爾公司半導(dǎo)體專利組合的廣泛授權(quán)。業(yè)內(nèi)分析認(rèn)為，此舉既是防范潛在訴訟的防御性策略，更是增強(qiáng)其全球技術(shù)競爭力的重要一步。
這些專利是從美國知識產(chǎn)權(quán)管理公司IPValue的子公司Tahoe Research處獲得的。許可專利組合涵蓋廣泛的半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，包括微處理器、邏輯芯片、存儲器、制造工藝以及先進(jìn)封裝技術(shù)。
Tahoe Research此前從英特爾收購約5000項(xiàng)專利，這是這家美國芯片制造商持續(xù)精簡知識產(chǎn)權(quán)資產(chǎn)并將非核心資產(chǎn)變現(xiàn)舉措的一部分。英特爾的剝離操作使IPValue得以構(gòu)建起強(qiáng)大的專利組合，該公司隨后便利用這些專利向整個半導(dǎo)體行業(yè)授予技術(shù)許可。
通過這項(xiàng)新的許可協(xié)議，三星得以使用英特爾研發(fā)成果中的大量專利，這降低了其在產(chǎn)品開發(fā)和制造過程中未來可能遭遇知識產(chǎn)權(quán)糾紛的風(fēng)險(xiǎn)，同時也為該公司采用下一代技術(shù)提供了更大的靈活性。
值得注意的是，這并非三星與IPValue的首次交易。2025年5月，三星還與Marlin Semiconductor Limited簽署了許可協(xié)議，該公司是IPValue的另一家子公司，于2021年從聯(lián)電收購近480項(xiàng)美國專利。這些專利同樣涵蓋存儲器、邏輯芯片和封裝等關(guān)鍵領(lǐng)域。
在全球半導(dǎo)體競爭日益激烈、先進(jìn)芯片需求飆升的背景下，三星電子正積極擴(kuò)張其知識產(chǎn)權(quán)組合，以此作為搶占下一代技術(shù)的先發(fā)策略。
2025年2月，三星電子與中企簽署了3D NAND“混合鍵合”技術(shù)的許可協(xié)議。
2025年2月至3月期間，三星還從美國非易失性存儲器領(lǐng)域龍頭企業(yè)閃迪（SanDisk）處收購113項(xiàng)專利。2025年4月，三星進(jìn)一步拿下209項(xiàng)閃存專利，持續(xù)加碼這一行業(yè)競爭最激烈的技術(shù)領(lǐng)域，鞏固自身市場地位。
這些戰(zhàn)略舉措反映了三星在全球半導(dǎo)體軍備競賽中保持領(lǐng)先的整體努力。在塑造計(jì)算、存儲和先進(jìn)封裝技術(shù)未來的過程中，專利限制已與芯片性能同等關(guān)鍵。
業(yè)界觀察人士認(rèn)為，三星近期的一系列專利授權(quán)動作是針對全球科技行業(yè)地緣政治與法律風(fēng)險(xiǎn)的未雨綢繆之舉。尤其是在中美緊張局勢加劇、非執(zhí)業(yè)實(shí)體（NPE）維權(quán)攻勢日益猖獗之際，此類行動更具戰(zhàn)略意義。
隨著人工智能（AI）、高性能計(jì)算（HPC）和先進(jìn)芯片封裝等領(lǐng)域的競爭日益激烈，三星等企業(yè)正重新強(qiáng)化戰(zhàn)略性的知識產(chǎn)權(quán)布局。分析師指出，在這場高風(fēng)險(xiǎn)的全球化創(chuàng)新競賽中，此類舉措已不再是可有可無的選擇，而是維持技術(shù)優(yōu)勢的必要手段。（校對/趙月）
2.積塔半導(dǎo)體“失效測試電路及方法”專利公布；
天眼查顯示，上海積塔半導(dǎo)體有限公司“失效測試電路及方法”專利公布，申請公布日為2025年3月14日，申請公布號為CN119619786A。
本發(fā)明提供一種失效測試電路及方法，失效測試電路包括：串聯(lián)的待測器件及保護(hù)模塊；其中，當(dāng)待測器件發(fā)生二次擊穿時，保護(hù)模塊用于減小電流熱效應(yīng)對待測器件的影響，以保護(hù)失效位置的形貌。本發(fā)明可以使得加大電壓或電流的步長更大，在保護(hù)待測器件的前提下可以更快到達(dá)測試需要達(dá)到的電壓電流條件，同時，在發(fā)生二次擊穿后可以更快的做出反應(yīng)來斷開電路，兼顧效率和準(zhǔn)確性，實(shí)現(xiàn)對失效位置形貌的保護(hù)，且簡單易操作，可以在一定程度減少cycle time，提高產(chǎn)出。
3.中欣晶圓半導(dǎo)體“改善硅片背封外觀的加工工藝”專利公布；
天眼查顯示，杭州中欣晶圓半導(dǎo)體股份有限公司“改善硅片背封外觀的加工工藝”專利公布，申請公布日為2025年3月14日，申請公布號為CN119615104A。
本發(fā)明涉及一種改善硅片背封外觀的加工工藝，所屬硅片加工技術(shù)領(lǐng)域，包括如下操作步驟：第一步：對完成雙面拋光加工的硅晶片，進(jìn)行APCVD加工前洗凈。第二步：硅晶片進(jìn)入機(jī)臺進(jìn)行SiO2成膜反應(yīng)，傳片速度為190～210mm/min；第三步：進(jìn)行APCVD加工的三個反應(yīng)噴頭，溫度分別設(shè)定T1=620～700℃；T2=560～640℃；T3=460～540℃。第四步：硅晶片背面鍍上一層SiO2薄膜即LTO，薄膜厚為0.3～0.6μm。第五步：硅晶片背封后再次洗凈。第六步：進(jìn)行APCVD加工后的硅晶片用于后續(xù)拋光和洗凈的加工。具有工藝操作便捷和背封成膜穩(wěn)定性好的優(yōu)點(diǎn)。通過對加工APCVD背封產(chǎn)品加工過程的工藝參數(shù)改善，避免晶片加工后表面附著的粉末狀污跡，成膜均勻無其他外觀異常。提升了產(chǎn)品的一次加工成品良率。
4.墨?？萍肌耙环N高阻抗石墨烯導(dǎo)熱膜及其制備方法”專利公布；
天眼查顯示，廣東墨?？萍加邢薰尽耙环N高阻抗石墨烯導(dǎo)熱膜及其制備方法”專利公布，申請公布日為2025年3月14日，申請公布號為CN119613116A。
本發(fā)明公開了一種高阻抗石墨烯導(dǎo)熱膜及其制備方法，所述高阻抗石墨烯導(dǎo)熱膜中含有耐高溫絕緣顆粒，所述耐高溫絕緣顆粒的熔點(diǎn)大于等于1500℃；所述耐高溫絕緣顆粒在粒度分布滿足：D95≤3μm。制備方法包括以下步驟，用干的氧化石墨烯粉體和脫鹽水混合配置碳氧比小于2.9的氧化石墨烯漿料，將氧化石墨烯漿料與耐高溫絕緣顆粒均勻混合后涂布，獲得高阻抗氧化石墨烯導(dǎo)熱膜，所述高阻抗氧化石墨烯導(dǎo)熱膜依次經(jīng)過低溫?zé)崽幚?、中溫?zé)崽幚怼⒏邷責(zé)崽幚砗蛪貉犹幚砗?，獲得高阻抗石墨烯導(dǎo)熱膜。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了工業(yè)化大規(guī)模制備可高阻抗石墨烯導(dǎo)熱膜的制備，有利于石墨烯導(dǎo)熱膜在發(fā)熱器件上的應(yīng)用。
