以色列，米格達(dá)勒埃梅克，2025年6月3日——高價(jià)值模擬半導(dǎo)體解決方案代工廠商 Tower Semiconductor（納斯達(dá)克股票代碼：TSEM）今日宣布即將出席于2025年6月16日至21日在美國(guó)加利福尼亞州舊金山舉行的國(guó)際微波研討會(huì)（IMS 2025）。屆時(shí)，Tower將重點(diǎn)展示其卓越的射頻（RF）及高功率放大器（HPA）技術(shù)平臺(tái)，以及在射頻開(kāi)關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的最新進(jìn)展。作為大會(huì)技術(shù)議程的重要組成部分，Tower Semiconductor將與pSemi聯(lián)合發(fā)布題為《采用PCM射頻開(kāi)關(guān)與集成CMOS驅(qū)動(dòng)器的0-110 GHz SPDT 開(kāi)關(guān)》的白皮書，該論文已入圍IMS 2025最佳產(chǎn)業(yè)論文獎(jiǎng)評(píng)選。
本論文重點(diǎn)介紹了一項(xiàng)寬帶單刀雙擲（SPDT）開(kāi)關(guān)技術(shù)，該技術(shù)采用Tower Semiconductor基于RFSOI CMOS工藝單片集成的相變材料（PCM）射頻開(kāi)關(guān)。其關(guān)鍵特性包括：超寬帶性能（支持直流至110 GHz全頻段，插入損耗低于2 dB）；集成CMOS驅(qū)動(dòng)器的數(shù)字控制，可兼容MIPI RFFE接口（PDK已提供）；實(shí)測(cè)功率承載達(dá)30 dBm；線性度較現(xiàn)有的RFSOI CMOS SPDT開(kāi)關(guān)提升15-20 dB。此項(xiàng)技術(shù)融合了超低損耗寬帶性能、高功率承載及全CMOS/數(shù)字集成特性，大幅簡(jiǎn)化了終端用戶的系統(tǒng)設(shè)計(jì)，為5G、未來(lái)6G、衛(wèi)星通信、波束成形及毫米波應(yīng)用提供了優(yōu)秀的電路解決方案。
演講議程
《采用PCM射頻開(kāi)關(guān)與集成CMOS驅(qū)動(dòng)器的0-110 GHz SPDT 開(kāi)關(guān)》
Nabil El-Hinnawy博士,
首席研發(fā)工程師, Tower Semiconductor
本演講是Th1B分論壇：創(chuàng)新射頻開(kāi)關(guān)、可變電容和調(diào)制器技術(shù)（完整議程詳情請(qǐng)掃描下方二維碼）的一部分。
時(shí)間：
2025年6月19日，上午8點(diǎn)20分
地點(diǎn)：
205會(huì)議室
屆時(shí)歡迎大家前往
#655 Tower Semiconductor展臺(tái)
與我們的工程師現(xiàn)場(chǎng)交流。
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