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三星力爭6月通過英偉達HBM3E質(zhì)量測試

來源:愛集微 #三星# #英偉達# #HBM3E#
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三星于今年3月通過了GPU巨頭英偉達的審核。消息人士稱,三星HBM在測試中達到了英偉達的最低要求。

三星內(nèi)部對其HBM在審核成功后能夠通過潛在客戶的質(zhì)量測試寄予厚望。

溫陽是三星的旗艦后端處理工廠,其DRAM、NAND閃存、CMOS圖像傳感器和其他芯片都在這里進行封裝和測試。

在質(zhì)量測試之前,客戶會進行審核,檢查芯片的電氣和物理特性,以及其在散熱和使用壽命方面的可靠性,以及對意外事件的反應。

英偉達目前正在其最新的AI加速器上使用12層HBM3E。SK海力士供應著這些芯片的大部分。

由于三星在HBM市場落后于SK海力士,其盈利也隨之下滑。

2024年第二季度,三星芯片業(yè)務的營業(yè)利潤為6.5萬億韓元,但第三季度降至3.9萬億韓元,第四季度降至2.9萬億韓元。

6月份的質(zhì)量測試也標志著三星芯片業(yè)務負責人全永鉉(Jun Young-hyun)執(zhí)掌芯片業(yè)務一周年。他曾表示,目標是恢復三星在DRAM領(lǐng)域的競爭力。

全永鉉同時也是存儲業(yè)務的負責人,一直領(lǐng)導著三星的HBM開發(fā)。今年2月,三星帶著改進的10nm 1b DRAM樣品訪問了英偉達。

三星計劃在今年晚些時候推出HBM4,這是HBM3E的繼任者。(校對/李梅)

責編: 李梅
來源:愛集微 #三星# #英偉達# #HBM3E#
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