在先進(jìn)制程競(jìng)賽中一向扮演領(lǐng)頭羊角色的臺(tái)積電，現(xiàn)在卻傳出，預(yù)計(jì)于2028年量產(chǎn)的A14制程，將不會(huì)采用業(yè)界矚目的High-NA EUV（高數(shù)值孔徑極紫外光刻技術(shù)），而是持續(xù)依賴現(xiàn)有的0.33-NA EUV技術(shù)。外媒指出，臺(tái)積電是基于成本考量而做出此決定，不過這也意味著，將在18A制程中使用High-NA EUV的英特爾，反而更具有「技術(shù)」優(yōu)勢(shì)。

《wccftech》報(bào)導(dǎo)，臺(tái)積電業(yè)務(wù)開發(fā)資深副總裁張曉強(qiáng)在北美技術(shù)研討會(huì)上透露，臺(tái)積電將不會(huì)使用高NA EUV曝光技術(shù)來對(duì)A14芯片進(jìn)行圖案化，A14的生產(chǎn)計(jì)劃預(yù)計(jì)將于2028年開始，但并不仰賴High-NA技術(shù)，也能透過既有工具達(dá)到預(yù)期的制程復(fù)雜度與設(shè)計(jì)密度。他強(qiáng)調(diào)：「從2nm到A14，我們不一定要使用high-NA，但在處理步驟上，我們可以繼續(xù)維持類似的復(fù)雜度。我們每一代的技術(shù)制程都試圖將光罩?jǐn)?shù)量增加控制在最低，這對(duì)成本效益至關(guān)重要?！?/p>

這項(xiàng)決策的關(guān)鍵在于「成本效益」。若使用High-NA EUV技術(shù)，制程成本可能比傳統(tǒng)EUV高出多達(dá)2.5倍，將大幅推升A14芯片的生產(chǎn)成本，進(jìn)而影響其在消費(fèi)性電子市場(chǎng)的普及速度。此外，A14 設(shè)計(jì)需多個(gè)光罩才能完成單層芯片設(shè)計(jì)，若使用High-NA，反而讓臺(tái)積電在成本增加的同時(shí)卻沒有獲得多少好處，性價(jià)比并不高。

相較之下，透過0.33-NA EUV并搭配多重曝光（multi-patterning）技術(shù)，能在不依賴極精準(zhǔn)度工具的情況下維持設(shè)計(jì)復(fù)雜性，并使制造成本降低。

不過，這不代表臺(tái)積電將完全放棄High-NA技術(shù)，該公司預(yù)計(jì)在 2029年推出的A14P制程節(jié)點(diǎn)上，可能會(huì)導(dǎo)入High-NA EUV。 《wccftech》指出，英特爾正積極投入High-NA技術(shù)，計(jì)劃于2026年量產(chǎn)的18A制程中率先導(dǎo)入，這意味著臺(tái)積電使用High-NA的進(jìn)程，將落后英特爾等對(duì)手至少四年。