1.展訊通信“通信指示方法及相關(guān)產(chǎn)品”專利公布

2.奕斯偉“硅片拋光方法和硅片拋光設(shè)備”專利公布

3.左藍微“一種聲表面波諧振器質(zhì)量負載制備工藝及半導體結(jié)構(gòu)”專利公布

4.智芯微“多芯片三維封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法”專利公布

5.速騰聚創(chuàng)“一種激光雷達的接收控制方法、裝置以及激光雷達”專利公布

1.展訊通信“通信指示方法及相關(guān)產(chǎn)品”專利公布

天眼查顯示，展訊通信(上海)有限公司“通信指示方法及相關(guān)產(chǎn)品”專利公布，申請公布日為2025年2月28日，申請公布號為CN119545519A。

本申請實施例公開了一種通信指示方法及相關(guān)產(chǎn)品，所述方法包括：發(fā)送尋呼消息，所述尋呼消息包括第一信息，所述第一信息用于指示參與模型生命周期管理流程的終端設(shè)備，所述終端設(shè)備處于無線資源控制非連接態(tài)。采用本發(fā)明，能夠有效指示處于非連接態(tài)的終端設(shè)備參與模型生命周期管理流程。

2.奕斯偉“硅片拋光方法和硅片拋光設(shè)備”專利公布

天眼查顯示，西安奕斯偉材料科技股份有限公司“硅片拋光方法和硅片拋光設(shè)備”專利公布，申請公布日為2025年2月28日，申請公布號為CN119526238A。

本申請?zhí)峁┝斯杵瑨伖夥椒ê凸杵瑨伖庠O(shè)備，硅片拋光設(shè)備的模板組件包括薄膜基部和環(huán)部，所述環(huán)部自所述薄膜基部的邊緣延伸以形成用于保持硅片的凹槽，所述環(huán)部設(shè)置有伸縮單元，所述方法包括：在所述硅片的拋光過程中，檢測所述環(huán)部的磨損應(yīng)力，以得到應(yīng)力數(shù)據(jù)；在所述應(yīng)力數(shù)據(jù)未處于目標數(shù)值范圍內(nèi)的情況下，調(diào)整所述伸縮單元的長度，以改變所述凹槽的深度。本申請通過監(jiān)測環(huán)部的磨損應(yīng)力并自動調(diào)整伸縮單元的長度，實現(xiàn)了TA尺寸的自動調(diào)節(jié)，提高了設(shè)備的自動化水平和稼動率，能夠有效減少TA因磨損應(yīng)力過大而導致的過度磨損，延長了TA的使用壽命。此外，自動調(diào)控TA尺寸，能夠保障硅片邊緣的去除量在合理水平，提升硅片的邊緣平整度和產(chǎn)品質(zhì)量。

3.左藍微“一種聲表面波諧振器質(zhì)量負載制備工藝及半導體結(jié)構(gòu)”專利公布

天眼查顯示，左藍微(江蘇)電子技術(shù)有限公司“一種聲表面波諧振器質(zhì)量負載制備工藝及半導體結(jié)構(gòu)”專利公布，申請公布日為2025年2月28日，申請公布號為CN119543860A。

本發(fā)明公開了一種聲表面波諧振器質(zhì)量負載制備工藝及半導體結(jié)構(gòu)，該制備工藝包括：準備晶圓；利用光刻工藝在晶圓上形成第一光刻膠圖層；在形成有第一光刻膠圖層的晶圓上按照設(shè)計厚度要求沉積一層IDT材料的薄膜；在完成IDT鍍膜后的晶圓上形成第二光刻膠圖層；在形成有第二光刻膠圖層的晶圓上按照設(shè)計厚度要求沉積一層質(zhì)量負載材料的薄膜；最后剝離晶圓上的光刻膠，使得覆蓋于光刻膠上的IDT材料薄膜和/或質(zhì)量負載材料薄膜一同被剝離，未覆蓋于光刻膠上的IDT材料薄膜和質(zhì)量負載材料薄膜則被保留。采用該工藝大大降低了對套刻精度的要求，能更好的控制產(chǎn)品的一致性、提高產(chǎn)品質(zhì)量。

4.智芯微“多芯片三維封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法”專利公布

天眼查顯示，北京智芯微電子科技有限公司“多芯片三維封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法”專利公布，申請公布日為2025年2月28日，申請公布號為CN119545887A。

本發(fā)明涉及芯片封裝技術(shù)領(lǐng)域，提供一種多芯片三維封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法。所述封裝結(jié)構(gòu)包括：多個模塑介質(zhì)層以及多個芯片組，多個芯片組分別塑封于多個模塑介質(zhì)層中，多個芯片組通過模塑介質(zhì)層中的塑封通孔實現(xiàn)互連；相鄰兩個芯片組的多個芯片倒裝于相鄰兩個模塑介質(zhì)層之間的再布線層上；相鄰兩個芯片組中至少一個芯片組包括多個具有高速率接口和低速率接口的芯片，該芯片組的多個芯片的高速率接口通過互連橋連接，相鄰兩個芯片組中各芯片的低速率接口通過相鄰兩個模塑介質(zhì)層之間的再布線層引出至塑封通孔。本發(fā)明采用互連橋并使用塑封通孔（TMV）與再布線層（RDL）相結(jié)合的封裝工藝，降低了多芯片三維封裝的技術(shù)難度和制造成本。

5.速騰聚創(chuàng)“一種激光雷達的接收控制方法、裝置以及激光雷達”專利公布

天眼查顯示，深圳市速騰聚創(chuàng)科技有限公司“一種激光雷達的接收控制方法、裝置以及激光雷達”專利公布，申請公布日為2025年2月28日，申請公布號為CN119535414A。

本發(fā)明實施例公開了一種激光雷達的接收控制方法、裝置以及激光雷達，該方法首先確定響應(yīng)周期的回波信號的回波特征值，然后基于回波特征值確定基線電壓波動量，再根據(jù)基線電壓波動量與響應(yīng)周期的采樣閾值確定目標采樣閾值，最后根據(jù)目標采樣閾值調(diào)整下一響應(yīng)周期的閾值。該接收控制方法對采樣閾值進行補償，得到補償后的目標采樣閾值，實現(xiàn)回波信號的準確采樣，提高測距效果，同時，相對于固定閾值補償，該接收控制方法基于接收到的回波信號對基線電壓的影響，實時調(diào)整采樣閾值，使得調(diào)整后的采樣閾值與基線電壓的波動趨勢一致，使得目標采樣閾值與回波信號更加匹配，進一步提高采樣精確度。