三星電子承諾今年將加強其在高帶寬存儲器（HBM）芯片市場的地位，以回應股東對其在利潤豐厚的人工智能（AI）領(lǐng)域表現(xiàn)不佳的批評。

三星芯片業(yè)務負責人Jun Young-hyun（全永鉉）表示，三星計劃最早在今年第二季度供應增強型12層HBM3E，并計劃在下半年生產(chǎn)尖端的HBM4芯片。在三星年度股東大會后，他正式被任命為三星的聯(lián)席CEO。

全永鉉承認，三星未能在HBM市場取得早期領(lǐng)先地位，導致其落后于競爭對手SK海力士。他強調(diào)，三星不會在下一代HBM4和定制芯片上重蹈覆轍。HBM4內(nèi)存預計將集成到英偉達即將推出的Rubin GPU架構(gòu)中。SK海力士正積極將自己定位為英偉達的主要HBM4供應商，并宣布已提前向主要客戶交付全球首批12層HBM4樣品。

三星已決定修改HBM3E芯片的設計以獲得英偉達的批準。英偉達的批準已醞釀已久，三星正在努力追趕SK海力士。在今年拉斯維加斯舉行的CES大會上，英偉達CEO黃仁勛表示，三星將不得不設計一種新設計，“但他們可以做到。他們工作得非常快。他們非常致力于做到這一點?！?/p>

全永鉉還預測，在強勁的AI和移動需求的推動下，未來幾個季度內(nèi)存市場將復蘇，他預計這將在下半年提振三星的盈利。

HBM對于高性能計算任務至關(guān)重要，它為內(nèi)存制造商提供了一種有利可圖的方式，讓他們能夠參與人工智能訓練和開發(fā)方面的大量支出。與其他類型的內(nèi)存不同，HBM的生產(chǎn)難度使其利潤豐厚，而且不易受到供需平衡大幅波動的影響。