韓國科技評(píng)估與規(guī)劃研究院2月23日發(fā)布的一份調(diào)查報(bào)告指出，韓國絕大多數(shù)的半導(dǎo)體技術(shù)已經(jīng)被中國趕超。

據(jù)媒體報(bào)道，研究院針對(duì)39名國內(nèi)專家實(shí)施問卷調(diào)查的結(jié)果顯示，截至去年，韓國所有半導(dǎo)體領(lǐng)域的基礎(chǔ)力量均落后于中國。

若將技術(shù)最先進(jìn)國家的水平設(shè)為100%，韓國在高集成度、低阻抗存儲(chǔ)晶片技術(shù)領(lǐng)域就為90.9%，低于中國（94.1%）位居第二；在高性能、低功耗的人工智能晶片領(lǐng)域，韓國（84.1%）仍不及中國（88.3%）。

在功率半導(dǎo)體方面，韓國為67.5%，中國高達(dá)79.8%；新一代高性能傳感技術(shù)方面，韓中兩國分別為81.3%和83.9%；半導(dǎo)體先進(jìn)封裝技術(shù)方面，兩國均為74.2%。

站在商業(yè)化的角度來看，韓國僅在高集成度、低阻抗存儲(chǔ)晶片和先進(jìn)封裝技術(shù)方面領(lǐng)先于中國。值得關(guān)注的是，參與此次調(diào)查的專家曾在2022年時(shí)認(rèn)為韓國在高集成度、低阻抗存儲(chǔ)晶片、先進(jìn)封裝、新一代高性能傳感技術(shù)等方面均領(lǐng)先中國，但僅兩年就改變了看法。