12月17日，銘普光磁發(fā)布公告稱，公司于近日取得一項(xiàng)中華人民共和國(guó)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局頒發(fā)的發(fā)明專利證書，證書號(hào)：第7608651號(hào)，發(fā)明名稱：一種端面耦合器及其制備方法，專利號(hào)：ZL202110994742.0，專利類型：發(fā)明專利，授權(quán)公告日：2024年12月17日。

據(jù)介紹，本發(fā)明公開了一種端面耦合器及其制備方法，涉及光通信技術(shù)領(lǐng)域，本發(fā)明的端面耦合器,包括硅襯底以及層疊設(shè)置于硅襯底上的下包層和上包層，下包層和上包層之間設(shè)置有同向光傳輸?shù)牡谝徊▽?dǎo)和第二波導(dǎo)，第二波導(dǎo)在第一波導(dǎo)的相對(duì)兩側(cè)對(duì)稱設(shè)置，第一波導(dǎo)包括沿光傳播方向連接的第一錐波導(dǎo)和第一直波導(dǎo)，第一錐波導(dǎo)的錐尾與第一直波導(dǎo)的連接，第二波導(dǎo)包括沿光傳播方向?qū)挾戎饾u增大的雙層錐波導(dǎo)、第二直波導(dǎo)和沿光傳播方向?qū)挾戎饾u減小的第二錐波導(dǎo)，第一錐波導(dǎo)的錐尖與第二錐波導(dǎo)的錐尾平齊，雙層錐波導(dǎo)包括第二錐體和層疊設(shè)置于第二錐體上的第一錐體。本發(fā)明提供的端面耦合器，能夠降低錐尖寬度對(duì)耦合損耗的限制，提高端面耦合器的轉(zhuǎn)換效率。

銘普光磁表示，上述發(fā)明專利的取得不會(huì)對(duì)公司生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)造成重大影響，但有利于充分發(fā)揮公司自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)優(yōu)勢(shì)，完善知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)體系，對(duì)公司開拓市場(chǎng)及推廣產(chǎn)品產(chǎn)生積極的影響，形成持續(xù)創(chuàng)新機(jī)制，提升公司核心競(jìng)爭(zhēng)力。