近日

在第十屆國際第三代半導(dǎo)體論壇

第二十一屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇

（IFWS&SSLCHINA2024）

開幕式上

2024年度中國第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進(jìn)展

重磅揭曉

其中西安電子科技大學(xué)

第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心

“6-8英寸藍(lán)寶石基氮化鎵中

高壓電力電子器件技術(shù)實(shí)現(xiàn)重大突破”

入選2024年度

中國第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進(jìn)展

西安電子科技大學(xué)第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心

郝躍院士課題組

張進(jìn)成教授、李祥東教授團(tuán)隊(duì)

成功攻克了

6-8英寸藍(lán)寶石基GaN電力電子器件的

外延、設(shè)計(jì)、制造和可靠性等系列難題

基于低翹曲超薄外延

高質(zhì)量雙層鈍化等創(chuàng)新方法

實(shí)現(xiàn)1200V和1700V高性能

GaN HEMT中試產(chǎn)品開發(fā)

通過HTRB、HTGB等可靠性評價(jià)

成果應(yīng)用于致能科技等公司系列產(chǎn)品中

顯著推動藍(lán)寶石基GaN

成為中高壓電力電子器件方案的有利競爭者

不僅代表了行業(yè)的技術(shù)前沿

也預(yù)示著產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新方向

受到了與會代表的廣泛關(guān)注和熱烈討論

一起為西電人點(diǎn)贊！