7月17日，微導納米發(fā)布公告稱，近期，公司首次發(fā)布了自主研發(fā)的“先進封裝低溫薄膜應用解決方案”。該方案針對半導 體領域2.5D和3D先進封裝技術的低溫工藝特殊需求而設計，能夠在50~200°C的低溫溫度區(qū)間內實現(xiàn)高均勻性、高質量、高可靠性的薄膜沉積效果。

方案包括iTronix LTP系列低溫等離子體化學氣相沉積系統(tǒng)、iTomic PE系列 等離子體增強原子層沉積系統(tǒng)、iTomic MeT系列金屬及金屬氮化物沉積系統(tǒng)等多款公司自主研發(fā)的低溫薄膜沉積設備產(chǎn)品。

其中，iTronix LTP系列低溫等離子體化學氣相沉積系統(tǒng)能夠在低溫下實現(xiàn)高質量的SiO2、SiN和SiCN薄膜沉積，適用于混合鍵合的介電層（ILD）、低k阻擋層和堆疊薄膜（BVR）；iTomic PE系列等離子體增強原子層沉積系統(tǒng)可沉積高質量的 SiO2 和 SiN薄膜，適用于高深寬比的 TSV 襯墊，能夠在極高深寬比的通孔內形成均勻且致密的絕緣層，保證了器件性能的穩(wěn)定；iTomic MeT系列金屬及金屬氮化物沉積系統(tǒng)可沉積高性能的TiN、TaN、Ru等金屬性薄膜，適用于高深寬比TSV的銅阻擋層，能夠有效防止銅擴散，提高了TSV的可靠性。當前公司正積極推動上述產(chǎn)品的市場導 入，構建產(chǎn)品先發(fā)優(yōu)勢。

微導納米指出，公司在半導體領域已推出包括iTomic系列原子層沉積系統(tǒng)、iTomic MW 系列批量式原子層沉積系統(tǒng)、iTomic PE系列等離子體增強原子層沉積系統(tǒng)、iTronix 系列化學氣相沉積系統(tǒng)等系列產(chǎn)品，現(xiàn)有產(chǎn)品能夠對邏輯芯片、存儲芯片、化合物半導體、新型顯示（硅基 OLED）中的薄膜沉積應用實現(xiàn)較為全面的覆蓋，公司目前產(chǎn)品已經(jīng)覆蓋 HfO?、Al?O3、ZrO?、TiO?、La?O3、ZnO、SiO?、TiN、TiAl、TaN、AlN、SiN、SiON、SiCN、無定形碳、SiGe 等多種薄膜材料。

同時，微導納米瞄準國內外半導體先進技術和工藝的發(fā)展方向，持續(xù)豐富產(chǎn)品矩陣，為客戶提供最先進的、集成化的真空技術工藝解決方案，打通國內先進半導體下一代技術迭代的需求。目前，2.5D 和 3D 封裝技術正以其高集成度和優(yōu)越性能，成為推動電子器件微型化和性能提升的重要手段。公司新產(chǎn)品的發(fā)布體現(xiàn)了公司的科技創(chuàng)新能力，進一步豐富了公司的產(chǎn)品線。通過拓寬產(chǎn)品的應用場景，能有效降低單一行業(yè)周期性波動給公司帶來的不利影響。