2024國際集成電路展覽會暨研討會將于3月28日-29日在上海張江科學會堂盛大舉辦。IIC Shanghai 2024 聚焦綠色能源生態(tài)發(fā)展、中國 IC 設計成就、EDA 與 IC 設計、IP 與 IC 設計、MCU 與嵌入式系統(tǒng)應用、高效電源管理及寬禁帶半導體技術應用、模擬與傳感器技術、存儲與存算一體技術、Chiplet 與先進封裝技術、GPU/AI 芯片與高性能計算應用等領域，涵蓋年度創(chuàng)新產品展示、權威發(fā)布、產業(yè)峰會、技術研討會、產業(yè)人才等多維度活動內容。作為國內領先的功率器件和數模混合信號鏈IC產品供應商，瑤芯將攜IGBT、SiC MOSFET等高性能高壓器件的解決方案隆重亮相本次展會。
歡迎各界朋友蒞臨上海張江科學會堂?？茝d1C-10展位，全面感受瑤芯的創(chuàng)新成果和整體解決方案，并與我們的技術人員進行深入交流，共同分享行業(yè)前沿科技、共話技術發(fā)展藍圖。
展臺信息
展臺位置：海科廳1C-10
展覽時間：
2024年3月28日 09：00-18：00
2024年3月29日 09：00-17：00
參展產品搶先看
SiC MOSFET(1200V 80mR TO-247-4L)
AK1CK2M080WAMH-A
AKS專門針對該款產品進行內部結構優(yōu)化，使其具備極低的寄生電容，兼具優(yōu)良的高溫特性，極大優(yōu)化半橋應用的“串擾”影響，支持“零壓關斷”
SiC MOSFET (1200V 16mR TO-247-4L)
AKCK2M016WAMH
為大功率高壓直流充電樁和儲能應用以及其他高壓高頻、大電流、低損耗應用場景打造，結合AKS第四代SiC MOSFET平臺，助您搭建成熟、穩(wěn)定的電子電子設備
SiC MOSFET (2300V 40mR TO-247PLUS-4L)
AKCL3M040YAMH
國內首發(fā)推出2300V SiC MOSFET平臺，器件具有高達2300V的耐壓，輕松應對1500V儲能系統(tǒng)高壓需求，簡化應用方案
IGBT (1200V 140A TO-247PLUS-4L)
AK1BK2A140YAHH
載流能力高達140A的IGBT器件，在100kW及以上逆變應用方案中，結合產品極低的開關損耗和高開關速度，是大電流單管并聯方案的極佳選擇，助您輕松實現技術降本
