第三代半導(dǎo)體材料主要用于光電子器件、電力電子器件和微波射頻器件等領(lǐng)域。作為第三代半導(dǎo)體的代表性材料，SiC和GaN正迎來快速發(fā)展機(jī)遇。

融資數(shù)據(jù)釋放積極信號

集微網(wǎng)統(tǒng)計顯示，2022年上半年，盡管受疫情影響，但國內(nèi)第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域融資熱依舊延續(xù)，釋放積極市場信號。上半年，第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域融資事件超20起，總?cè)谫Y額超57億元。

其中，融資額最高的為英諾賽科近30億元D輪融資事件。

2021年下半年，第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域融資事件超19起，融資總額超118億元，其中融資額最高的為積塔半導(dǎo)體80億元戰(zhàn)略融資事件。同時，積塔半導(dǎo)體此次融資，也成為2021下半年與2022上半年第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域融資額差距的“原因”。

集微網(wǎng)統(tǒng)計顯示，從2020年下半年開始，第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域融資事件呈高速增長勢態(tài)，折射出良好的市場前景預(yù)判及旺盛的市場需求。2021年，在新能源汽車、工業(yè)互聯(lián)、5G通信、消費類電子等領(lǐng)域的需求拉動下，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)加速發(fā)展。伴隨SiC和GaN為代表的第三代半導(dǎo)體持續(xù)在電力電子市場取得突破，2022年全球第三代半導(dǎo)體市場總體將保持增長態(tài)勢。

電力電子器件拉動GaN熱度上揚

SiC/GaN器件是目前應(yīng)用較多的寬禁帶半導(dǎo)體器件。相比傳統(tǒng)的Si器件，寬禁帶半導(dǎo)體器件有著耐壓高、導(dǎo)通電阻小、開關(guān)損耗低、溫度特性好、散熱性能好等優(yōu)點。

由于GaN和SiC在材料性能上各有優(yōu)勢，因此在應(yīng)用領(lǐng)域上各有側(cè)重和互補(bǔ)。SiC器件更適用于最高環(huán)境溫度高，或散熱需求高，或滿載要求效率極高的環(huán)境，主要的應(yīng)用器件有功率控制單元、逆變器，DC-DC轉(zhuǎn)換器、車載充電器等，尤其在新能源汽車市場的廣闊前景之下，帶動SiC功率器件迅猛增長。 

GaN器件具備極快開關(guān)速度和極低的開關(guān)損耗等優(yōu)勢，因此適用于需要高頻率開關(guān)的場合。GaN現(xiàn)階段主要用于電力電子器件 、射頻器件以及光電器件。目前，GaN在消費電子市場的快速充電器上已經(jīng)得到廣泛應(yīng)用，由于具備開關(guān)頻率高這一優(yōu)勢，使得GaN充電器可以減小變壓器和電容體積以及發(fā)熱量。2019年9月，OPPO發(fā)布國內(nèi)首款GaN充電器SuperVOOC2.0，充電功率為65W，是全球首家在手機(jī)充電器中導(dǎo)入GaN技術(shù)的廠商。

從被投企業(yè)類別來看，GaN領(lǐng)域企業(yè)融資事件與融資總額顯著上升。其中，2022上半年GaN領(lǐng)域企業(yè)融資次數(shù)為7，英諾賽科完成近30億元D輪融資，晶湛半導(dǎo)體、元旭半導(dǎo)體也都宣布完成數(shù)億元融資。

Yole數(shù)據(jù)顯示，GaN器件市場正以59%的復(fù)合年增長率 (CAGR) 從2021年的1.26億美元增長到2027年的20億美元，這一數(shù)據(jù)顯著高于Yole對SiC器件市場34%的同期年復(fù)合增長率預(yù)判。到2027年，消費類電源市場的價值將超過9.156億美元，2021年至2027年的年復(fù)合增長率為52%。

得益于充電頭等消費市場拉動，GaN電力電子器件市場規(guī)模在國內(nèi)也將保持高速增長。據(jù)CASA Research數(shù)據(jù)，2020年國內(nèi)PD快充GaN電力電子器件市場規(guī)模約1.5億元，預(yù)計到2025年市場規(guī)模將超過40億元，年均復(fù)合增長率97%。（校對/趙碧瑩）