揚(yáng)賀揚(yáng)微電子創(chuàng)新“芯”思維引領(lǐng)國產(chǎn)閃存“芯”時代
導(dǎo)語：隨著萬物互聯(lián)時代的來臨，云計(jì)算、移動互聯(lián)網(wǎng)、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、人工智能等新一代信息技術(shù)在各個領(lǐng)域深化應(yīng)用，數(shù)據(jù)呈爆炸式增長態(tài)勢。IDC研究報告顯示，全球數(shù)據(jù)量到2025年將增至175ZB，其中，我國這一數(shù)字將達(dá)到48.6ZB，這意味著存儲器市場的巨大商機(jī)?；陂W存存儲的創(chuàng)新層出不窮，如何利用新技術(shù)優(yōu)化不同場景，對于數(shù)據(jù)基礎(chǔ)設(shè)施的未來發(fā)展至關(guān)重要。閃存芯片，正以其高速響應(yīng)和可靠存儲能力，支撐著數(shù)據(jù)的實(shí)時處理與傳輸。江蘇揚(yáng)賀揚(yáng)微電子科技有限公司（以下簡稱“揚(yáng)賀揚(yáng)”），作為國產(chǎn)閃存芯片領(lǐng)域的佼佼者，正以自主研發(fā)為核心，致力于打造行業(yè)領(lǐng)先的“芯”設(shè)計(jì)，為全球客戶提供可靠的解決方案。
走進(jìn)揚(yáng)賀揚(yáng)，一股濃厚的創(chuàng)新氛圍撲面而來。從芯片設(shè)計(jì)到銷售，每一步都凝聚著揚(yáng)賀揚(yáng)人對技術(shù)的執(zhí)著與追求。在閃存領(lǐng)域，NAND FLASH與NOR FLASH兩種存儲技術(shù)各有千秋，但如何在確保功能靈活的同時，又有效降低容量成本，成為行業(yè)面臨的共同難題。
技術(shù)創(chuàng)“芯”
揚(yáng)賀揚(yáng)給出了自己的答案——靠技術(shù)創(chuàng)“芯”，蹚出屬于自己的路。在一次與國家電網(wǎng)的項(xiàng)目合作中，揚(yáng)賀揚(yáng)研發(fā)團(tuán)隊(duì)深入剖析客戶需求，創(chuàng)新性地采用集中控制技術(shù)，將NAND閃存和NOR閃存集中在同一塊芯片上，打造出具有獨(dú)創(chuàng)性的P-NOR閃存產(chǎn)品。這一產(chǎn)品不僅充分結(jié)合了兩種閃存技術(shù)的優(yōu)勢，還有效降低了工藝難度和制造成本，實(shí)現(xiàn)了技術(shù)上的重大突破。
此后，揚(yáng)賀揚(yáng)在創(chuàng)“芯”路上越走越遠(yuǎn)。針對NAND閃存儲存數(shù)據(jù)過程中可能出現(xiàn)的“壞塊”情況，團(tuán)隊(duì)自研了增強(qiáng)型ECC功能模塊技術(shù)，糾錯能力達(dá)到14比特，能夠在更短的時間內(nèi)糾正更多的錯誤，從而提高數(shù)據(jù)傳輸?shù)目煽啃?。無論是產(chǎn)品使用壽命還是擦寫次數(shù)，揚(yáng)賀揚(yáng)的產(chǎn)品矩陣都大幅超越市場同類產(chǎn)品，贏得了市場的廣泛認(rèn)可。
在閃存芯片市場，大型公司往往追逐大內(nèi)存容量，而中小容量市場則因單價低、銷售額貢獻(xiàn)小而被忽視。然而，揚(yáng)賀揚(yáng)卻敏銳地看到了這一市場的潛力，將目標(biāo)鎖定在以Gb和Mb為主的中小容量賽道。
2016年，揚(yáng)賀揚(yáng)創(chuàng)始人王永成憑借在中芯國際和華虹宏力的背景，創(chuàng)立了江蘇揚(yáng)賀揚(yáng)微電子科技有限公司。彼時，國內(nèi)的NOR閃存市場已經(jīng)較為成熟，而NAND閃存在當(dāng)時仍與海外市場有較大差距。同時，因?yàn)橹行∪萘啃酒膯蝺r低，銷售額貢獻(xiàn)小，大公司們多數(shù)會選擇退出這條賽道，但這并不意味著市場的消失。巨頭公司的缺位，反而成為了揚(yáng)賀揚(yáng)切入市場的契機(jī)。王永成堅(jiān)信，中小容量市場并非沒有價值，只要能夠抓住機(jī)遇，同樣能夠創(chuàng)造出巨大的商業(yè)價值。
為了實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化替代，揚(yáng)賀揚(yáng)積極接洽國內(nèi)制造商，希望在未來能夠在設(shè)計(jì)與工藝上達(dá)成匹配。同時，揚(yáng)賀揚(yáng)還不斷加強(qiáng)與國內(nèi)外知名企業(yè)的合作，共同推動閃存芯片技術(shù)的發(fā)展與應(yīng)用。王永成介紹：“我們的產(chǎn)品相比于國內(nèi)的28nm或24nm，除了成本上的優(yōu)勢外，14比特的糾錯算法也讓揚(yáng)賀揚(yáng)的產(chǎn)品可靠性大大提高。此外，我們的產(chǎn)品有一個“壞塊”管理，有效提升了產(chǎn)品的可靠性。”
經(jīng)過數(shù)年的深耕細(xì)作，揚(yáng)賀揚(yáng)在中小容量閃存市場取得了顯著的成績。特別是在NAND閃存領(lǐng)域，揚(yáng)賀揚(yáng)成功研發(fā)出全球首款16納米的NAND存儲芯片，這一成果不僅填補(bǔ)了國內(nèi)在高端存儲芯片領(lǐng)域的空白，更為國產(chǎn)化替代邁出了堅(jiān)實(shí)的一步。
技術(shù)與創(chuàng)新能力的形成，最終還是歸結(jié)于人。除了在研發(fā)和創(chuàng)新方面加大投入外，揚(yáng)賀揚(yáng)還非常注重人才團(tuán)隊(duì)的培養(yǎng)。
公司目前共有兩個設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)，多為海內(nèi)外頂級芯片設(shè)計(jì)的從業(yè)人員。存儲器芯片的設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)來自韓國，與這支團(tuán)隊(duì)的相遇，源于一次偶然的機(jī)會。該團(tuán)隊(duì)中有著數(shù)十位近30年行業(yè)經(jīng)驗(yàn)的芯片設(shè)計(jì)精英，自2022年加入揚(yáng)賀揚(yáng)后，雙方結(jié)合優(yōu)勢特長，強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合?？刂破鞯脑O(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)來自臺灣，有25年左右的設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)。正是這批強(qiáng)有力的人才團(tuán)隊(duì)，給予了揚(yáng)賀揚(yáng)快速發(fā)展的技術(shù)實(shí)力和底氣。
2023年底，揚(yáng)賀揚(yáng)宣布將總部落戶無錫高新區(qū)。這一選擇并非偶然，而是基于無錫高新區(qū)完善的集成電路產(chǎn)業(yè)鏈和良好的營商生態(tài)。無錫作為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要發(fā)源地，擁有深厚的產(chǎn)業(yè)底蘊(yùn)和豐富的資源。無錫高新區(qū)更是聚集了500余家集成電路企業(yè)，為揚(yáng)賀揚(yáng)的發(fā)展提供了廣闊的空間和機(jī)遇。
落戶無錫高新區(qū)后，揚(yáng)賀揚(yáng)感受到了當(dāng)?shù)卣块T的專業(yè)、高效和務(wù)實(shí)。從項(xiàng)目對接到落地實(shí)施，僅用了三個月便敲定了所有的合作細(xì)節(jié)。值得一提的是，為了助力企業(yè)提前進(jìn)駐辦公，無錫國家集成電路設(shè)計(jì)基地有限公司積極協(xié)調(diào)場地資源，讓企業(yè)比預(yù)期的時間提早半年落戶，助其落地生“金”，彰顯了園區(qū)優(yōu)化營商環(huán)境的氣魄和智慧。
企業(yè)發(fā)展階段，無錫高新區(qū)更是給予了全方位的服務(wù)和支持，包括辦公配套、研發(fā)費(fèi)用的政策補(bǔ)貼等，這些支持不僅讓揚(yáng)賀揚(yáng)能夠迅速站穩(wěn)腳跟，還為公司的后續(xù)發(fā)展提供了有力保障。在無錫高新區(qū)的支持下，揚(yáng)賀揚(yáng)在短短10個月內(nèi)就先后獲批了市企業(yè)技術(shù)中心、市工程技術(shù)研究中心、國家專精特新小巨人企業(yè)等資質(zhì)，并榮獲第12屆創(chuàng)業(yè)江蘇科技創(chuàng)業(yè)大賽三等獎。這些榮譽(yù)不僅是對揚(yáng)賀揚(yáng)技術(shù)實(shí)力和創(chuàng)新能力的認(rèn)可，也是對公司未來發(fā)展的激勵和鞭策。
